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STK0260 参数 Datasheet PDF下载

STK0260图片预览
型号: STK0260
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内容描述: 先进的功率MOSFET [Advanced Power MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 8 页 / 459 K
品牌: AUK [ AUK CORP ]
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STK0260  
Absolute maximum ratings  
Characteristic  
Drain-source voltage  
Gate-source voltage  
Drain current (DC)  
(Ta=25°C)  
Unit  
V
Symbol  
VDSS  
VGSS  
ID  
Rating  
600  
±30  
0.6  
V
A
*
Drain current (Pulsed)  
IDP  
2.4  
A
Drain Power dissipation  
PD  
1.3  
W
A
Avalanche current (Single)  
Single pulsed avalanche energy  
Avalanche current (Repetitive)  
IAS  
0.6  
EAS  
3.9  
mJ  
A
IAR  
0.6  
Repetitive avalanche energy  
EAR  
110  
µJ  
°C  
Junction temperature  
Storage temperature range  
TJ  
Tstg  
150  
-55~150  
* Limited by maximum junction temperature  
Characteristic  
Junction-ambient  
resistance  
Symbol  
Rth(J-a)  
Typ.  
-
Max  
96.2  
Unit  
Thermal  
KSD-T0H010-001  
2
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