AT45DB642D
以下的地址字节，附加的不如果使用串行接口关心个字节（一个字节或
两个字节，如果使用8位的接口）的时钟必须在初始化读操作。在CS
引脚必须保持为低电平的操作码的加载过程中，地址字节，不在乎字节，
和数据的读出。当达到缓冲器的末端，所述装置将继续读
备份在缓冲器的开头。在CS引脚从低到高的跳变将终止读
操作和三态输出引脚（SO或I / O 7 - I / O0 ） 。
7.编程和擦除命令
7.1
缓冲区写
数据可以从输入引脚（ SI或I / O7 - I / O0 ）被移入到无论是缓冲器1或缓冲区2.
负载数据转换成标准数据闪存缓冲液（ 1056个字节）， 1字节的操作码， 84H为缓冲器1或
87H缓冲区2 ，必须移入设备，其次是3个地址字节组成的
13不关心位和11缓冲区地址位（ BFA10 - BFA0 ） 。 11缓冲区地址位指定
在缓冲器中的第一个字节被写入。将数据加载到二进制缓存（每个1024字节），
1个字节的操作码84H缓冲区1或87H缓冲区2 ，必须移入设备，其次是
3个地址字节由14不在乎位和10缓冲区地址位（ BFA9 - BFA0 ） 。
10个缓冲器地址位用于指定要被写入在缓冲器中的第一个字节。的最后一个地址后
字节被移入器件，数据就可以在随后的时钟周期移入。
如果数据缓冲区的末尾为止，该装置将绕回的开头
缓冲区。数据将继续被加载到缓冲器中，直到一个低到高的跳变被检测到上
CS引脚。
7.2
缓冲区到主存储器页编程带内置擦除
写入任一缓冲器1或缓冲器2的数据可被编程到主存储器中。 1字节
操作码， 83H缓冲区1或86H缓冲区2 ，必须移入器件。为标准
数据闪存页面大小（ 1056字节） ，操作码必须遵循的三个地址字节包括
第13页的地址位（ PA12 - PA0 ） ，在所述主存储器中指定的页面被写入并
11无关位。为了执行缓冲，以主存储器页编程带内置擦除的
二进制页面大小（ 1024字节） ，操作码83H为缓冲器1或86H缓冲区2中，时钟必须
在设备后面三个地址字节组成的13页地址位（ A22 - A10 ）
指定要被写入主存储器中的页和10无关位。当一个低到
高转换发生在CS引脚，该部分将首先删除在主存储所选择的页面
（已擦除状态是逻辑1），则程序存储在缓冲器中复制到指定的数据
在主存储器中的页面。同时擦除和页面的编程是在内部自定时
并应在吨的最大时间
EP
。在此期间，状态寄存器和
RDY / BUSY引脚将指示该部分正忙。
7.3
缓冲区到主存储器页编程没有内置擦除
主存储器内的先前被擦除的页可以与任一的内容进行编程
缓冲区1或2，缓冲1个字节的操作码， 88H缓冲区1或89H缓冲区2 ，必须移入
该设备。对于标准数据闪存页大小（ 1056字节），操作码后面必须跟
3个地址字节组成的13页地址位（ PA12 - PA0 ） ，在指定页面
主内存写入和11个无关位。为了执行缓冲，以主存储器页亲
克无内置擦除的二进制页面大小（ 1024字节） ，操作码88H为缓冲器1或
89H缓冲区2 ，必须移入器件后跟三个地址字节包括
13页的地址位（ A22 - A10） ，在所述主存储器中指定的页将被写入并
10无关位。当低到高的转变发生在CS引脚，器件将编程
存储在缓冲器中复制到指定的页面在主存储器中的数据。必要的是该
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3542H–DFLASH–4/08
ATMEL [ ATMEL CORPORATION ]
