CS引脚必须的操作码，地址字节加载过程中保持较低水平，而读
荷兰国际集团的数据。当在一个连续的阵列达到在主存储器中的页的结束
读取，该设备将继续读下一个页面的开头，没有发生延迟
页边界交叉（从一个页面的结束的开始交叉时
下页） 。当主存储器阵列中的最后一位被读出，该设备将CON组
tinue读回的存储器中的第一页的开头。如同跨越页
边界，没有延迟，将所述阵列的的端部缠绕时将发生
开头的阵列。在CS引脚从低到高的跳变将终止读操作
和三态输出引脚（ SO ） 。连续阵列读取绕过这两个数据缓冲区和
离开缓冲区的内容不变。
6.4
主存储器页读
读出的主存储器页面允许用户直接从8192页中的任何一个读数据
在主存储器中，从而绕过两个数据缓冲区和离开缓冲区的内容
不变。要启动与标准数据闪存页面大小（ 1056字节）阅读页面中，
D2H的操作码，必须移入器件后跟三个地址字节（其中包括：
24位页和字节地址序列）和一系列不在乎字节（ 4个字节，如果使用
串行接口或19个字节，如果使用8位的接口）。 24位 - 第13位（ PA0 PA12 ）
地址序列在主内存中指定的页面进行阅读，最后11位（ BA10 -
24位的地址序列的BA0 ）指定的页内的起始字节地址。开始
从二进制文件的页面大小（ 1024字节）阅读页面，操作码D2H必须移入
设备后跟三个地址字节和一系列不在乎字节（如果使用的4个字节
串行接口或19个字节，如果使用8位的接口）。的24位 - 第13位（ A10 A22 ）
顺序指定给读出页的主存储器阵列，并在最后10位（ A9 - A 0 ）的
24位地址序列指定页内的起始字节地址。无所谓
随后的地址字节的字节被发送到初始化读操作。继别
关心字节，在SCK / CLK结果附加脉冲数据是在任的SO （串行输出
输出）引脚或8引脚输出（ I / O7 - I / O0 ） 。 CS引脚必须在装载过程中保持较低水平
操作码，地址字节，不在乎字节，数据的读取。时的端
在主存储器中的页到达时，设备将继续读回时的初
同一个页面。在CS引脚从低到高的跳变将终止读操作和三态
输出引脚（ SO或I / O7 - I / O0 ） 。最大SCK / CLK频率允许的主
内存页读是由F定义
SCK
规范。主存储器页读绕过
两个数据缓冲器和离开缓冲区的内容不变。
6.5
缓冲区读
SRAM的数据缓冲器可以独立地从主存储器阵列进行访问，并utiliz-
荷兰国际集团的缓冲器读指令允许数据被顺序地直接从缓冲器读出。在
串行模式， 4操作码， D4H或D1H对缓冲液1和D6H或D3H为缓存器2 ，可用于
缓冲区中读取命令。利用每一个操作码取决于最大SCK频率
将用于对从所述缓冲器中读取数据。该D4H和D6H操作码可以在任何可以使用
SCK频率高达为f指定的最大值
CAR1
。该D1H和D3H操作码可用于
对于较低频率的读操作到最大为f指定
CAR2
.
在8位模式下，两个操作码， 54H为缓冲器1和56H为缓存器2可用于缓冲
读命令。这两个操作码， 54H和56H ，可以在任何SCK频率使用最多的
用F指定最大
CAR1
。执行从标准数据闪存缓冲器读缓冲器（ 1056
字节） ，操作码必须移入器件后跟三个地址字节组成
13个无关位和11缓冲区地址位（ BFA10 - BFA0 ） 。要执行读取缓冲区
二进制缓冲区（ 1024字节） ，操作码必须移入器件跟着三
地址字节由14不在乎位和10缓冲区地址位（ BFA9 - BFA0 ） 。
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AT45DB642D
3542H–DFLASH–4/08
ATMEL [ ATMEL CORPORATION ]
