AT45DB321D
7.4
页擦除
页擦除命令可以被用来单独地清除任何页面的主存储器阵列中的
使缓冲区到主存储器的页编程到在以后的时间被利用。要执行
在数据闪存标准的页面大小页擦除（ 528字节） ， 81H的操作码必须加载
到设备，其次是3个地址字节由1不在乎位，第13页地址
位（ PA12 - PA0 ） ，在所述主存储器中指定的页面被擦除和10无关位。
执行页擦除二进制页面大小（ 512字节） ，操作码81H必须加载
到设备，其次是三个地址字节包括2不在乎位，第13位的地址
（ A21 - A9） ，用于指定在主存储器中的页被擦除和9无关位。当一个
低到高的转变发生在CS引脚，该部分将删除选定的页面（擦除
状态是逻辑1） 。擦除操作是内部自定时的，应在一个马克西
吨的妈妈时间
PE
。在此期间，状态寄存器和由RDY / BUSY引脚将指示
一部分是忙。
7.5
块擦除
的八页的块可以同时被擦除。这个命令非常有用，当大量
的数据已被写入到器件中。这将避免使用多页擦除命令。
要执行的数据闪存标准页面大小的块擦除（ 528字节） ， 50H的操作码
必须加载到设备，其次是3个地址字节由1位忽略，
第10页地址位（ PA12 -PA3 ）和13无关位。在10页地址位用于
指定的八个页块是要被擦除。要为二进制页面执行块擦除
大小（512字节） ，操作码50H必须被加载到设备上，接着是三个地址
由2个字节无关位，第10页地址位（ A21 - A12 ）和12个无关位。
在第10页的地址位被用于指定其中八页块是要被擦除。当
由低到高的转变发生在CS引脚，该部分将擦除八所选择的块
页。擦除操作是在内部自定时的，应在的最大时间
t
BE
。在此期间，状态寄存器和由RDY / BUSY引脚将指示该部分正忙。
表7-1 。
PA12/
A21
0
0
0
0
•
•
•
1
1
1
1
块擦除寻址
PA11/
A20
0
0
0
0
•
•
•
1
1
1
1
PA10/
A19
0
0
0
0
•
•
•
1
1
1
1
PA9/
A18
0
0
0
0
•
•
•
1
1
1
1
PA8/
A17
0
0
0
0
•
•
•
1
1
1
1
PA7/
A16
0
0
0
0
•
•
•
1
1
1
1
PA6/
A15
0
0
0
0
•
•
•
1
1
1
1
PA5/
A14
0
0
0
0
•
•
•
1
1
1
1
PA4/
A13
0
0
1
1
•
•
•
0
0
1
1
PA3/
A12
0
1
0
1
•
•
•
0
1
0
1
PA2/
A11
X
X
X
X
•
•
•
X
X
X
X
PA1/
A10
X
X
X
X
•
•
•
X
X
X
X
PA0/
A9
X
X
X
X
•
•
•
X
X
X
X
块
0
1
2
3
•
•
•
1020
1021
1022
1023
9
3597J–DFLASH–4/08
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