AT45DB321D
在WP引脚可以断言在设备擦除，但保障不会被激活，直到
内部擦除周期完成。
命令
芯片擦除
1个字节
C7H
2字节
94H
BYTE 3
80H
4个字节
9AH
图7-1 。
芯片擦除
CS
SI
操作码
1个字节
每个转换
代表
8位
操作码
2字节
操作码
字节
3
操作码
4个字节
注意：
1.参考上关于芯片擦除勘误表
7.8
通过缓存主存储器页编程
此操作是缓冲区的组合，并写入缓冲区主存储器页编程
带内置擦除操作。数据首先移入缓冲区1或2的缓冲区从输入引脚（ SI ）
然后程序进入到主存储器中的指定页面。执行主存储器
通过缓冲器的数据闪存标准页面尺寸的页面编程（ 528字节）， 1字节的操作码，
82H缓冲区1 85H缓冲区2 ，必须首先移入器件，接着是三个
地址字节。地址字节由1不在乎位，第13位的地址，
（ PA12 - PA0 ），用于选择存储在主存储器，其中的数据是要被写入的页，和10的缓冲
地址位（ BFA9 - BFA0 ），用于选择在缓冲器中的第一个字节被写入。要执行
通过缓冲器用于二进制页面大小（512字节） ，操作码82H主存储器页编程
缓冲区1或85H缓冲区2 ，必须移入器件后跟三个地址字节
包含2个无关位，第13页地址位（ A21 - A9） ，在主指定的页面
存储器的写入，和9缓冲器地址位（ BFA8 - BFA0 ） ，其选择的第一个字节中的
缓冲器被写入。毕竟地址字节移入，该部分将数据从输入
销，并将其存储在指定的数据缓冲区中。如果缓冲区的末尾为止，该装置将
绕回的缓冲区的开始。当有在CS由低到高的跳变
销，该部分将首先删除在主存储为全1所选择的页面，然后编程
存储在缓冲到该存储器的页面数据。无论是擦除和的编程
页面有内部自定时应在T的最大时间
EP
。在这段时间内，
状态寄存器中，由RDY / BUSY引脚将指示该部分正忙。
8.扇区保护
两种保护方法，硬件和软件控制，提供了用于防止
无意的或错误的编程和擦除周期。软件控制方法依赖于
使用软件命令来启用和禁用部门保护，同时在硬件CON-
受控方法采用使用写保护（ WP ）引脚。哪些部门的选择
要被保护或未保护的对编程和擦除操作中被指定
非易失性扇区保护注册。扇区是否保护状态一直
启用或由软件或硬件控制的方法，可以决定禁止
通过检查状态寄存器开采。
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3597J–DFLASH–4/08
ATMEL [ ATMEL CORPORATION ]
