3.框图
WP
闪存阵列
PAGE （五百二十八分之五百一十二BYTES ）
缓冲器1 （ 528分之512 BYTES ）
缓冲液2 （ 528分之512 BYTES ）
SCK
CS
RESET
VCC
GND
RDY / BUSY
I / O接口
SI
SO
4.内存阵列
以提供最佳的灵活性， AT45DB321D的存储器阵列被划分为三个级别的粒度，包括的
扇区，块和页面。在“内存体系结构图”显示了每个级别的细分，并详细介绍了
每扇区和块页数。所有程序操作的数据闪存出现逐页的基础上。擦除
操作可以在芯片，扇区，块或页级别来执行。
图4-1 。
内存架构图
座建筑
扇形
0a
扇形
0b
块0
1座
BLOCK 2
扇形
架构
扇形
0a =
8
网页
4096 / 4224字节
页面架构
8
网页
块0
第0页
第1页
扇形
0B = 120页
61,440 / 63,360字节
第6页
第7页
页面
8
BLOCK 62
BLOCK 63
扇形
1 = 128页
65,536 / 67,584字节
BLOCK 65
扇形
2 = 128页
65,536/67,584
字节
扇形
1
1座
BLOCK 64
第9页
第14页
第15页
BLOCK 126
BLOCK 127
BLOCK 128
扇形
62 = 128页
65,536 / 67,584字节
BLOCK 129
第16页
第17页
第18页
扇形
63 = 128页
65,536 / 67586字节
BLOCK 1022
BLOCK 1023
页面
8,190
页面
8,191
块= 4096 / 4224字节
页=五百二十八分之五百一十二字节
4
AT45DB321D
3597J–DFLASH–4/08
ATMEL [ ATMEL CORPORATION ]
