11页地址位（ A18 - A8） ，在所述主存储器中指定的页面被写入并
8不在乎位。当低到高的转变发生在CS引脚上，部分会先擦除
在主存储器中选择的页（擦除状态是逻辑1），然后程序所存储的数据
在缓冲插入在主存储器中的指定页面。无论是擦除和的编程
页面有内部自定时应在T的最大时间
EP
。在这段时间内，
状态寄存器将指示该部分正忙。
7.3
缓冲区到主存储器页编程没有内置擦除
主存储器内的先前被擦除的页可以与任一的内容进行编程
缓冲区1或2，缓冲1个字节的操作码， 88H缓冲区1或89H缓冲区2 ，必须移入
该设备。对于数据闪存标准的页面大小（ 264字节） ，操作码必须跟
三个地址字节包括4不在意位，第11位的地址（ PA10 - PA0 ）指定
在主存储器中的页面进行写入和9无关位。为了执行缓冲，以主
存储器页程序没有内置擦除的二进制页面大小（256字节） ，操作码
88H缓冲区1 89H缓冲区2 ，必须移入器件后跟三个地址
由5个字节无关位， 11页地址位（ A18 - A8 ） ，指定的页面
主内存写入和8个无关位。当低到高的转变发生在CS
销，该部分程序存储在缓冲器中复制到指定的页面在主MEM-数据
ORY 。必要的是该正被编程的页面在主存中已经预先
使用擦除命令（页擦除或块擦除）中的一个删除。的编程
页是在内部自定时的，应在吨的最大时间
P
。在这段时间内，所述
状态寄存器将指示该部分正忙。
7.4
页擦除
页擦除命令可以被用来单独地清除任何页面的主存储器阵列中的
使缓冲区到主存储器的页编程到在以后的时间被利用。要执行
在数据闪存标准的页面大小页擦除（ 264字节） ， 81H的操作码必须加载
到设备，其次是3个地址字节由4不在意位， 11页地址
位（ PA10 - PA0 ） ，在所述主存储器中指定的页面被擦除和9无关位。
执行页擦除二进制页面大小（ 256字节） ，操作码81H必须加载
到设备，其次是三个地址字节包括5不在意位，第11位的地址
（ A18 - A8） ，用于指定在主存储器中的页被擦除和8无关位。当一个
低到高的转变发生在CS引脚，该部分将删除选定的页面（擦除
状态是逻辑1） 。擦除操作是内部自定时的，应在一个马克西
吨的妈妈时间
PE
。在此期间，状态寄存器将指示该部分正忙。
7.5
块擦除
的八页的块可以同时被擦除。这个命令非常有用，当大量
的数据已被写入到器件中。这将避免使用多页擦除命令。
要执行的数据闪存标准页面大小的块擦除（ 264字节） ， 50H的操作码
必须被加载到设备上，接着是三个地址字节包括4个无关位，
第8页地址位（ PA10 - PA3 ）和12无关位。在第8页地址位用于
指定的八个页块是要被擦除。要为二进制页面执行块擦除
大小（256字节） ，操作码50H必须被加载到设备上，接着是三个地址
由5个字节无关位，第8页地址位（ A18 - A11 ）和11无关位。该
第9页的地址位被用于指定其中八页块是要被擦除。当低
到高的转变发生在CS引脚，该部分将擦除八页选定的块。该
擦除操作是在内部自定时的，应在吨的最大时间
BE
。中
此时，状态寄存器将指示该部分正忙。
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AT45DB041D
3595L–DFLASH–4/08
ATMEL [ ATMEL CORPORATION ]
