AT45DB041D
存储器达成，所述装置将继续读回在同一页的开头。一
低到高的转变CS引脚将终止读操作和三态输出引脚
（ SO ） 。最大SCK频率允许的主存储器页读通过定义
f
SCK
规范。主存储器页读绕过这两个数据缓冲区和离开
缓冲区不变的内容。
6.5
缓冲区读
SRAM的数据缓冲器可以独立地从主存储器阵列进行访问，并utiliz-
荷兰国际集团的缓冲器读指令允许数据被顺序地直接从缓冲器读出。四
操作码， D4H或D1H对缓冲液1和D6H或D3H为缓存器2 ，可用于在缓冲器读
命令。使用每个操作码的取决于最大SCK的频率，将用于
从缓冲器中读取数据。该D4H和D6H操作码可以在任何SCK频率可达使用
用F指定的最大
CAR1
。该D1H和D3H操作码可用于较低频率
读操作最多为f指定的最大值
CAR2
.
执行从数据闪存的标准缓冲液（ 264字节）读缓冲器，操作码必须是
移入器件后跟三个地址字节由15无关位和
9缓冲区地址位（ BFA8 - BFA0 ） 。执行从二进制缓冲器（256字节）读缓冲器，
操作码必须移入器件后跟三个地址字节由
16不关心位和8缓冲区地址位（ BFA7 - BFA0 ） 。下面的地址字节，1
不在乎字节的时钟必须在初始化读操作。 CS引脚必须保持为低电平
操作码，地址字节，不在乎字节加载，以及在读期间
数据。当达到缓冲器的末端，所述装置将继续读回的开头
的缓冲液中。在CS引脚从低到高的跳变将终止读操作和三态
输出引脚（SO ） 。
7.编程和擦除命令
7.1
缓冲区写
数据可以从输入引脚（ SI ）被移入到无论是缓冲器1或缓冲区2.将数据加载到
数据闪存的标准缓冲液（ 264字节）， 1字节的操作码， 84H为缓冲器1或87H为缓冲器2，
必须移入设备，其次是3个地址字节组成的15无关位
9缓冲区地址位（ BFA8 - BFA0 ） 。 9缓冲器地址位中指定的第一个字节
缓冲器被写入。将数据加载到二进制缓存（每个256字节） ， 1字节的操作码84H
缓冲区1或87H缓冲区2 ，必须移入设备，其次是3个地址字节
由16无关位和8个缓冲区地址位（ BFA7 - BFA0 ） 。 8缓冲区地址
位用于指定要被写入在缓冲器中的第一个字节。之后的最后一个地址字节被时钟
到器件中，数据可以在随后的时钟周期时钟输入。如果在数据的末尾
缓冲器达到，该装置将绕回的缓冲区的开始。数据CON组
tinue加载到缓冲区中，直到由低到高的转变是CS引脚上检测到。
7.2
缓冲区到主存储器页编程带内置擦除
写入任一缓冲器1或缓冲器2的数据可被编程到主存储器中。 1字节
操作码， 83H缓冲区1或86H缓冲区2 ，必须移入器件。对于数据闪存
标准的页面大小（ 264字节） ，操作码必须跟三个地址字节包括
4无关位， 11页地址位（ PA10 - PA0 ）表示在主存储器中，以指定的页
写入和9无关位。为了执行缓冲，以主存储器页面程序具有内置
抹去的二进制页面大小（256字节） ，操作码83H为缓冲器1或86H为缓冲器2，必须
被移入器件后跟三个地址字节组成的5不在乎位
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3595L–DFLASH–4/08
ATMEL [ ATMEL CORPORATION ]
