4.内存阵列
以提供最佳的灵活性， AT45DB041D的存储器阵列被划分为三个等级
粒度，包括行业，块和页面。在“内存体系结构图” illus-
trates每个级别的故障，并详细说明的每个扇区和块的页数。所有
程序操作的数据闪存出现在页面上逐页的基础。在擦除操作
将在芯片，部门，块或页级执行。
图4-1 。
内存架构图
座建筑
扇形
0a
扇形
0b
块0
1座
BLOCK 2
扇形
架构
扇形
0a =
8
网页
2048 / 2112字节
页面架构
8
网页
块0
第0页
第1页
扇形
0B = 248页
63,488 / 65,472字节
第6页
第7页
页面
8
块
30
块
31
扇形
1 = 256页
65,536 / 67,584字节
块
33
扇形
2 = 256页
65,536/67,584
字节
扇形
1
1座
块
32
第9页
第14页
第15页
BLOCK 62
BLOCK 63
BLOCK 64
扇形
6 = 256页
65,536 / 67,584字节
BLOCK 65
第16页
第17页
第18页
扇形
7 = 256页
65,536 / 67,584字节
BLOCK 254
BLOCK 255
第2046
2,047页
块= 2048 / 2112字节
页=二百六十四分之二百五十六字节
5.设备操作
该设备的操作是通过来自主处理器的指令控制。的指令的列表
与它们相关联的操作码中包含
有效教学
开始于CS的下降沿后跟适当的8位的操作码和所需的缓冲
或主内存地址的位置。当CS引脚为低电平，触发SCK引脚控制
装载操作码，并通过在SI所需的缓冲器或主存储器地址位置
（串行输入）引脚。所有的指令，地址和数据传送的最显著
位（ MSB）在前。
缓冲区寻址的数据闪存标准的页面大小（ 264字节）的被引用
使用的术语BEA8数据表 - BFA0表示指定所需的9位地址
缓冲区内的字节地址。主内存寻址时使用的术语引用
PA10 - PA0和BA8 - BA0 ，其中PA10 - PA0表示要desig-所需的11位地址
内特页地址和BA8 - BA0表示指定字节所需的9位地址
在页面内解决。
对于二进制页面大小（256字节）中的“第2电源”时，缓冲器寻址中所引用的
使用传统的术语BFA7数据表 - BFA0来表示8位地址
到缓冲器中指定一个字节地址必需的。主内存寻址引用
使用的术语A18 - A0 ， A18在哪里 - A8表示，以desig-所需的11位地址
内特页地址和A7 - A0表示指定字节所需的8位地址
在页面中解决。
4
AT45DB041D
3595L–DFLASH–4/08
ATMEL [ ATMEL CORPORATION ]
