特点
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单2.5V或2.7V至3.6V电源
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急流
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串行接口： 66 MHz最大时钟频率
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- 兼容SPI模式0和3
用户可配置的页面大小
- 每页256字节
- 每页264字节
- 页面大小可在工厂预先配置为256字节
页编程操作
- 智能编程操作
- 2048页（二百六十四分之二百五十六字节/页）主内存
灵活的擦除选项
- 页擦除（ 256字节）
- 块擦除（ 2字节）
- 扇区擦除（ 64字节）
- 芯片擦除（ 4兆位）
两个SRAM数据缓冲区（ 264分之256字节）
- 允许数据的接收，同时重新编程的闪存阵列
通过整个阵列连续读取功能
- 理想的代码映射应用程序
低功耗
- 7毫安有效的读电流典型
- 25 μA待机电流典型
- 5 μA深度掉电典型
硬件和软件数据保护功能
- 个别部门
部门锁定的安全代码和数据存储
- 个别部门
安全性： 128字节安全寄存器
- 64字节的用户可编程空间
- 唯一的64字节的设备标识符
JEDEC标准制造商和设备ID读
100000编程/擦除周期每页最低
数据保留 - 20岁
工业温度范围
绿色（无铅/无卤化物/ RoHS标准）的包装选项
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4-megabit
2.5伏或
2.7-volt
数据闪存
®
AT45DB041D
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1.描述
该AT45DB041D是2.5V或2.7V ，串行接口闪存产品适合于
各种各样的数字支持语音，图像 - ，程序代码和数据存储应用。
该AT45DB041D支持要求非常急流应用的串行接口
高速操作。急流串行接口SPI的兼容频率高达
66兆赫。其4325376比特的存储器被组织为2048页的256字节或
264字节每个。除了在主存储器中， AT45DB041D还包含两个
每个264分之256字节的SRAM缓冲器。该缓冲器允许而数据的接收
在主存储器页面进行重新编程，以及写入一个连续的数据
流。 EEPROM仿真（位或字节变性）很容易与自CON-处理
tained 3步骤读 - 修改 - 写操作。不同于传统的闪存
了与多个地址线和并行接口，所述随机访问
数据闪存采用了急流串行接口按顺序访问其数据。简单
顺序访问极大地降低了活动的引脚数，简化硬件设计，
3595L–DFLASH–4/08
ATMEL [ ATMEL CORPORATION ]
