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930104703 参数 Datasheet PDF下载

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型号: 930104703
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内容描述: 弧度。宽容128Kx8 , 5伏超低功耗CMOS SRAM [Rad. Tolerant 128Kx8, 5-Volt Very Low Power CMOS SRAM]
分类和应用: 存储内存集成电路静态存储器异步传输模式ATM
文件页数/大小: 16 页 / 793 K
品牌: ATMEL [ ATMEL CORPORATION ]
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特点
工作电压: 5V
访问时间: 30秒,45纳秒
非常低的功耗
主动: 600毫瓦(最大)
待机: 1 μW (典型值)
宽温度范围: -55 ° C至+ 125°C
400密耳宽套餐: FP32和SB32
TTL兼容的输入和输出
异步
无单粒子闩锁低于80兆电子伏/毫克/ cm的LET阈值
2
经测试可达总剂量为30 krads (SI ),符合MIL STD 883方法1019
QML Q和V带SMD 5962-89598
食管鳞状细胞癌与规格9301/047
描述
该M65608E是组织为131072 ×8位的低功耗CMOS静态RAM 。
利用六晶体管( 6T)的存储器单元的阵列,所述M65608E结合了
极低的待机电流(典型值= 0.2 μA ),具有快速存取时间
在30 ns的整个军用温度范围内。在6T细胞亲的高稳定性
国际志愿组织良好的抗噪声引起的软错误。
该M65608E是根据MIL的最新版本的处理方法
PRF 38535或ESCC 9000 。
弧度。宽容
128Kx8 , 5伏
极低的功耗
CMOS SRAM
M65608E