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930104703 参数 Datasheet PDF下载

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型号: 930104703
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内容描述: 弧度。宽容128Kx8 , 5伏超低功耗CMOS SRAM [Rad. Tolerant 128Kx8, 5-Volt Very Low Power CMOS SRAM]
分类和应用: 存储内存集成电路静态存储器异步传输模式ATM
文件页数/大小: 16 页 / 793 K
品牌: ATMEL [ ATMEL CORPORATION ]
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M65608E
数据保持特性
参数
描述
最低
2.0
典型
TA = 25
⋅C
最大
单位
V
VCCDR
V
CC
对于数据
保留
芯片
取消选择
数据
保留
时间
手术
恢复
时间
数据
保留
电流
2.0V
数据
保留
电流
3.0V
TCDR
0.0
ns
TR
tAVAV
(1)
ns
ICCDR1
0.1
150
µA
ICCDR2
(2)
注意事项:
0.2
200
µA
1. TAVAV =读周期时间
2. CS1 =
V
CC
或CS2 = CS1 = GND , VIN = GND /
V
CC
时,该参数是在只测试
V
CC
= 2V.
3.保证参数,未经测试
写周期
符号
参数
65608-30
30
0
22
18
22
22
8
22
0
0
0
65608-45
45
0
35
20
35
35
15
35
0
0
0
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
价值
最大
TAVAW
tAVWL
tAVWH
tDVWH
TE1LWH
TE2HWH
TWLQZ
tWLWH
tWHAX ALE低
tWHDX
TWHQX
注意:
写周期时间
地址建立时间
地址有效的结束
数据建立时间
CS1低到写结束
CS2高写到底
写低到高Z
(1)
把脉冲宽度
从到地址保持
写结束
数据保持时间
写高到低Z
(1)
1.参数的保证,没有经过测试,与输出负载5 pF的。
7
4151N–AERO–04/09