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5962D8956809VNC 参数 Datasheet PDF下载

5962D8956809VNC图片预览
型号: 5962D8956809VNC
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内容描述: 弧度。宽容高速4 KB ×9并行FIFO [Rad. Tolerant High Speed 4 Kb x 9 Parallel FIFO]
分类和应用: 存储先进先出芯片
文件页数/大小: 20 页 / 1848 K
品牌: ATMEL [ ATMEL CORPORATION ]
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写使能( W)
写周期开始此输入的下降沿,如果满标志( FF )未设置。
数据的建立时间和保持时间必须保持在前缘的上升时间
写使能( W) 。任何数据的存储顺序RAM阵列中,无论
当前的读操作。
一旦一半的存储器被填充,并在随后的写操作的下降沿,
在半满标志( HF)将被设置为低电平,并保持在该状态,直到差
写之间指针和读指针小于可用的总的大于或等于半
存储在设备中。在半满标志( HF)然后通过的上升沿复位
读操作。
为了防止数据溢出,满标志( FF)将变低,抑制了进一步的写操作
系统蒸发散。在一个有效的读操作完成后,满标志( FF)将TRFF后高走,
允许一个有效的写操作开始。当FIFO堆栈已满时,内部写指针
与W阻挡,从而使外部的变化为W将会对全FIFO堆叠没有影响。
读使能(R )
一个读周期开始的读使能的(R)的下降沿提供的
空标志( EF )未设置。数据是在第一入/先出的基础上,不与访问
站在任何当前的写操作。后读使能( R)为高电平时,数据输出
看跌期权( Q 0 - Q8 )将返回到一个高阻抗状态,直到下一次读操作。当
在FIFO堆栈中的所有数据都被读取,空标志( EF)将变为低电平,使
“最终”读周期,但进一步抑制读操作,而数据输出
保持在高阻抗状态。一旦一个有效的写操作已经完成,该
空标志( EF)将为高tWEF和有效读取然后可以开始之后。当
在FIFO堆栈是空的,内部的读出指针被选自R受阻,使外部
变化至R将对空FIFO堆叠没有影响。
这是一个双重目的的输入。在深度扩展模式时,此引脚连接到
接地,以表明它是第一加载(见操作模式) 。在单个器件
模式下,此引脚用作重传输入。单个器件模式由CON-启动
necting的扩张(十一)接地。
该M67204H可以使重传数据时,重传允许控制( RT)下
输入低脉冲。重传操作将设置内部读取点的某些地区第一
化,也不会影响写指针。读使能( R)和写使能(W )必须
在重传过程中的高境界。重发功能,旨在用于当
写操作的数目等于或小于所述FIFO的深度自上次已发生
RS周期。重传功能与深度扩展模式和兼容
会影响按照所读取的相对位置的半满标志( HF)
和写指针。
首先加载/重发
( FL / RT )
扩展IN(十一)
该输入是一个双功能引脚。扩张(十一)连接到GND以指示
操作在单个设备的模式。扩张(十一)连接到扩展输出
在深度扩展或菊花链模式,以前的设备( XO ) 。
的满标志( FF),将变低,抑制了进一步的写操作时,写指针是
一个位置小于读指针,指示该装置是满的。如果读出的
指针复位( RS )后不移动时,满标志( FF)将变低4096后写道。
的空标志(EF)将变低,进一步抑制读操作时,读指针
等于写指针,指示该设备是否为空。
满标志( FF )
空标志( EF )
4
M67204H
4141J–AERO–04/07