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5962D8956809VNC 参数 Datasheet PDF下载

5962D8956809VNC图片预览
型号: 5962D8956809VNC
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内容描述: 弧度。宽容高速4 KB ×9并行FIFO [Rad. Tolerant High Speed 4 Kb x 9 Parallel FIFO]
分类和应用: 存储先进先出芯片
文件页数/大小: 20 页 / 1848 K
品牌: ATMEL [ ATMEL CORPORATION ]
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特点
先入先出的双端口存储器
4096位×9组织
快速国旗和访问次数: 15 , 30纳秒
宽温度范围: -55 ° C至+ 125°C
通过字宽和深度完全可扩展
异步读/写操作
空,全速和半旗的单设备模式
重传功能
双向应用
电池备份操作: 2V数据保留
TTL兼容
单5V ± 10 %电源
无单粒子闩锁低于80兆电子伏/毫克/ cm的LET阈值
2
经测试可达总剂量为30 krads (SI ),符合MIL STD 883方法1019
质量等级: QML Q和V带SMD 5962-89568和ESCCwith规范
9301/049
弧度。宽容
高速
4 KB ×9
并行FIFO
M67204H
描述
该M67204H实现了一个先入先出算法,具有异步
读/写操作。在FULL和EMPTY标志防止数据溢出和理解
流动。扩展逻辑可以无限扩展的字的大小和深度,无
定时处罚。双地址指针自动生成内部读写
地址,且无需外部地址信息是必需的爱特梅尔的FIFO 。
地址指针自动递增的写引脚和读引脚。 9
比特宽数据在数据通信应用中使用,其中一个奇偶校验位
错误检查是必要的。重发销读指针复位到零,而不
影响写指针。这是用于重发数据时的错误是非常有用
在系统中检测到的。
使用的8个晶体管的阵列( 8T )的存储单元,所述M67204H结合了
极低的待机电流(典型值= 0.1 μA)与15 ns的快速存取时间
在整个温度范围内。所有版本都提供电池备份数据保留capa-
相容性具有典型功耗低于2 μW 。
该M67204H是根据MIL的最新版本的处理方法
PRF 38535 ( Q和V)或ESCC 9000 。
4141J–AERO–04/07