29C516E
3.4 。引脚说明
表1：
名字
引脚说明
I / O
活跃
描述
巴士
U1D[0..15]
U2D[0..15]
ΜD[0..15]
ΜC[0..7]
错误标志
CERR
NCERR
26
25
O
O
低
低
可纠正的错误
无法纠正的错误
53,49..47,45..42,40..37,35..33,28
23..20,18..15,13..10,8..5
59..62,64..67,69..72,74..77
83..86,88..91
I / O *
I / O *
I / O *
I / O *
高
高
高
高
用户1数据总线
用户2数据总线
存储器数据总线
内存检查- bit总线
一般的控制信号
正确
SYNCHK
N22
TRANS
98
97
27
96
I*
I*
I*
I*
高
低
高
H / L
当激活时， EDAC是正确的模式。如果低，
经发会在检测模式。
选择综合症位（高字节）和校验位
（低字节）来驱动所选择的用户数据总线。
当激活时， EDAC采用6校验位。如果低，则
EDAC采用8校验位的内存读取。
选择将要使用的数据路径。如果高， EDAC
访问该存储器中，如果低，经发访问转印
缓冲区。
选择谁是用户1和用户2的主
主机负责将RD / WRX ， MEMX和
ENX信号，以正确的方式。
U2/U1
95
I*
H / L
用户1控制信号
RD / WRT
EN1
MEM1
55
56
57
I*
I*
I*
H / L
低
低
用户1读/写信号
用户1输出使能
用户1内存选择
用户1控制信号
RD/WR2
EN2
MEM2
功率（缓冲器）
VCC
B
GND
B
功率（核心）
VCC
C
GND
C
100
93
I
I
–
–
核心供电（ 5 V标称）
核心0V参考
9,19,32,41,54,63,73,87
4,14,24,36,46,58,68,78,92
I
I
–
–
缓冲器供电（ 5 V标称）
缓冲器0 V标称参考
99
94
3
I*
I*
I*
H / L
低
低
用户2读/写信号
用户2输出使能
用户2存储器选择
*拉缓冲区
4
启示录
E
(03
2007)
ATMEL [ ATMEL CORPORATION ]
