AO8806 参数 Datasheet PDF下载

型号：	AO8806
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内容描述：	常见的漏双N沟道增强型场效应晶体管 [Common-Drain Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor]
分类和应用：	晶体晶体管场效应晶体管
文件页数/大小：	4 页 / 191 K
品牌：	AOSMD [ ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORS ]

AO8806

典型的电气和热特性

（伏）

（ NC ）

图7 ：栅极电荷特性

2000

=10V

=6A

1750

1500

1250

1000

750

500

250

国际空间站

OSS

RSS

100.0

J（下最大）

=150°C

=25°C

DS （ ON）

有限

100µs

1ms

0.1s

10ms

10µs

功率（W）的

J（下最大）

=150°C

=25°C

（安培）

10.0

1.0

10s

0.1

（伏）

图9 ：最大正向偏置安全

工作区（注五）

100

0.001

0.01

0.1

100

1000

脉冲宽度（S ）

图10 ：单脉冲功率额定值结点到

环境（注E）

θJA

归一化瞬时

热阻

D =吨

Ĵ ，PK

θJA

=83°C/W

按降序排列

D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ， 0.01 ，单脉冲

0.1

单脉冲

0.01

0.00001

0.0001

0.001

0.01

0.1

100

1000

脉冲宽度（S ）

图11 ：归最大瞬态热阻抗

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