AO8806 参数 Datasheet PDF下载

型号：	AO8806
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内容描述：	常见的漏双N沟道增强型场效应晶体管 [Common-Drain Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor]
分类和应用：	晶体晶体管场效应晶体管
文件页数/大小：	4 页 / 191 K
品牌：	AOSMD [ ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORS ]

2002年12月

AO8806

常见的漏双N沟道增强型场效应

晶体管

概述

该AO8806采用先进的沟槽技术

提供了优秀的研发

DS （ ON）

，低栅极电荷和

操作与栅极电压低至1.8V 。这

装置适合于用作单向或双

定向负荷开关，其共促进

漏配置。

特点

(V) = 20V

= 6 A

DS （ ON）

< 25MΩ （V

= 4.5V)

DS （ ON）

30mΩ到< （V

= 2.5V)

DS （ ON）

< 40MΩ （V

= 1.8V)

TSSOP-8

顶视图

D1/D2

绝对最大额定值牛逼

= 25 ° C除非另有说明

参数

符号

漏源电压

栅源电压

连续漏极

当前

漏电流脉冲

功耗

最大

±8

6.4

5.4

1.5

1.08

-55到150

单位

=25°C

=70°C

=25°C

=70°C

, T

英镑

°C

结温和存储温度范围

热特性

参数

最大结点到环境

最大结对铅

符号

≤

10s

稳态

θJA

θJL

典型值

最大

120

单位

° C / W

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