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AO6408_10 参数 Datasheet PDF下载

AO6408_10图片预览
型号: AO6408_10
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内容描述: 20V N沟道MOSFET [20V N-Channel MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 4 页 / 174 K
品牌: AOSMD [ ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORS ]
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AO6408
典型的电气和热特性
5
V
DS
=10V
I
D
=8.8A
电容(pF)
2800
2400
2000
C
国际空间站
1600
1200
800
400
0
0
8
12
16
Q
g
( NC )
图7 :栅极电荷特性
4
20
0
10
15
V
DS
(伏)
图8 :电容特性
5
20
C
OSS
C
RSS
4
V
GS
(伏)
3
2
1
0
100.0
40
10µs
10.0
I
D
(安培)
R
DS ( ON)
有限
100µs
10ms
0.1s
1.0
T
J(下最大)
=150°C
T
A
=25°C
0.1
0.1
10
V
DS
(伏)
图9 :最大正向偏置安全
工作区(注五)
1
100
1s
10s
DC
0
0.001
1
10
100
1000
脉冲宽度(S )
图10 :单脉冲功率额定值Junction-
到环境(注E)
0.01
0.1
功率(W)的
1ms
30
T
J(下最大)
=150°C
T
A
=25°C
20
10
10
Z
θ
JA
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
T
Ĵ ,PK
=T
A
+P
DM
.Z
θJA
.R
θJA
R
θJA
=62.5°C/W
1
按降序排列
D = 0.5 ,0.3 ,0.1 ,0.05 ,0.02 , 0.01 ,单脉冲
0.1
P
D
T
on
单脉冲
T
100
1000
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
脉冲宽度(S )
图11 :归最大瞬态热阻抗
Rev4 : 2010年9月
www.aosmd.com
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