AO6408_10 参数 Datasheet PDF下载

型号：	AO6408_10
PDF下载：	下载PDF文件查看货源
内容描述：	20V N沟道MOSFET [20V N-Channel MOSFET]
分类和应用：
文件页数/大小：	4 页 / 174 K
品牌：	AOSMD [ ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORS ]

AO6408

20V N沟道MOSFET

概述

该AO6408采用先进的沟槽技术

提供了优秀的研发

DS （ ON）

和低栅极电荷。它提供

运行在一个很宽的栅极驱动范围从1.8V至

12V 。这是ESD保护。此装置适用于使用

作为负载开关。

特点

(V) = 20V

= 8.8A

= 10V)

DS （ ON）

< 18MΩ （V

= 10V)

DS （ ON）

< 20MΩ （V

= 4.5V)

DS （ ON）

< 25MΩ （V

= 2.5V)

DS （ ON）

< 32mΩ （V

= 1.8V)

ESD额定值： 2000V HBM

ESD保护

100 ％ UIS测试

100 ％通过Rg测试

TSOP-6

顶视图

1 6

2 5

3 4

绝对最大额定值牛逼

= 25 ° C除非另有说明

参数

符号

漏源电压

栅源电压

连续漏极

当前

漏电流脉冲

=25°C

功耗

=70°C

结温和存储温度范围

热特性

参数

最大结点到环境

最大结对铅

=25°C

=70°C

, T

英镑

最大

±12

8.8

1.28

-55到150

单位

°C

符号

≤

10s

稳态

θJA

θJL

典型值

47.5

最大

62.5

110

单位

° C / W

Rev4 ： 2010年9月

www.aosmd.com

第1页4

IC37:专业IC行业平台

专业IC领域供求交易平台:提供全面的IC Datasheet资料和资讯，Datasheet 1000万数据，IC品牌1000多家。

网站导航 Datasheet资料库电子术语电子百科

服务中心 常见问题委托交易会员服务

关于我们 公司简介联系我们免责申明

产品索引：A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

深圳网络警察报警平台公共信息安全网络监察经营性网站备案信息不良信息举报中心工商网监电子标识全国公安机关备案