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    AO4918L 参数 Datasheet PDF下载

    AO4918L图片预览
    型号： AO4918L
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 非对称双N沟道增强型场效应晶体管 [Asymmetric Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor]
    分类和应用： 晶体晶体管场效应晶体管
    文件页数/大小： 8 页 / 150 K
    品牌： AOSMD [ ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORS ]
     浏览型号AO4918L的Datasheet PDF文件第1页浏览型号AO4918L的Datasheet PDF文件第2页浏览型号AO4918L的Datasheet PDF文件第3页浏览型号AO4918L的Datasheet PDF文件第4页浏览型号AO4918L的Datasheet PDF文件第5页浏览型号AO4918L的Datasheet PDF文件第6页浏览型号AO4918L的Datasheet PDF文件第8页  
    AO4918
    Q2电气特性（T
    J
    = 25 ° C除非另有说明）
    30
    25
    20
    I
    D
    (A)
    15
    10
    5
    0
    0
    1
    4V
    10V
    4.5V
    3.5V
    I
    D
    (A)
    30
    25
    20
    125°C
    15
    10
    5
    0
    2
    3
    4
    5
    1
    1.5
    2
    2.5
    3
    3.5
    4
    25°C
    V
    DS
    =5V
    V
    GS
    =3V
    V
    DS
    （伏）
    图1 ：在区域特征
    V
    GS
    （伏）
    1040
    图2 ：传输特性
    26
    归一化的导通电阻
    V
    GS
    =4.5V
    22
    R
    DS （ ON）
    (m
    Ω
    )
    1.7
    1.6
    1.5
    1.4
    1.3
    1.2
    1.1
    1
    0.9
    0
    50
    I
    D
    =8.3A
    180
    110
    0.7
    V
    GS
    =4.5V
    V
    GS
    =10V
    18
    V
    GS
    =10V
    14
    10
    0
    5
    10
    15
    20
    25
    30
    I
    D
    (A)
    图3 ：导通电阻与漏电流和
    栅极电压
    100
    150
    200
    温度（℃）
    图4 ：导通电阻与结温
    60
    50
    R
    DS （ ON）
    (m
    Ω
    )
    40
    30
    125°C
    20
    25°C
    10
    2
    4
    6
    8
    10
    V
    GS
    （伏）
    图5 ：导通电阻与栅源电压
    I
    D
    =8.3A
    1.0E+01
    1.0E+00
    1.0E-01
    I
    S
    (A)
    1.0E-02
    25°C
    1.0E-03
    1.0E-04
    1.0E-05
    0.0
    0.2
    0.4
    0.6
    0.8
    1.0
    V
    SD
    （伏）
    图6 ：体二极管的性能
    125°C
    阿尔法&欧米茄半导体有限公司

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