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AO4918L 参数 Datasheet PDF下载

AO4918L图片预览
型号: AO4918L
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内容描述: 非对称双N沟道增强型场效应晶体管 [Asymmetric Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管场效应晶体管
文件页数/大小: 8 页 / 150 K
品牌: AOSMD [ ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORS ]
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AO4918
Q1典型的电和热性能
40
10V
30
I
D
(A)
4.5V
2.5V
20
V
GS
=2V
10
I
D
(A)
30
25
20
15
125°C
10
5
25°C
V
DS
=5V
0
0
1
2
3
4
5
V
DS
(伏)
图1 :在区域特征
0
0.5
1
1.5
2
2.5
V
GS
(伏)
图2 :传输特性
14
归一化的导通电阻
1.8
1.6
1.4
V
GS
=10V
1.2
1
0.8
0
50
100
150
200
温度(℃)
图4 :导通电阻与结温
I
D
=9.3A
V
GS
=4.5V
13
R
DS ( ON)
(m
)
V
GS
=4.5V
12
V
GS
=10V
11
10
0
5
10
15
20
25
30
I
D
(A)
图3 :导通电阻与漏电流和
栅极电压
30
25
R
DS ( ON)
(m
)
20
125°C
15
25°C
10
5
0
2
4
6
8
10
V
GS
(伏)
图5 :导通电阻与栅源电压
I
D
=9.3A
I
S
(A)
1.0E+01
1.0E+00
1.0E-01
1.0E-02
1.0E-03
1.0E-04
1.0E-05
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
V
SD
(伏)
图6 :体二极管的性能
(注六)
FET +肖特基
25°C
125°C
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