AO4914
Q1电气特性（T
J
= 25℃除非另有说明）
C
符号
参数
条件
I
D
= 250uA ，V
GS
=0V
（ SET
V
R
=30V
V
R
= 30V ，T
J
=125°
C
V
R
= 30V ，T
J
=150°
C
I
GSS
V
GS （ TH）
I
D（上）
R
DS （ ON）
g
FS
V
SD
I
S
门体漏电流
栅极阈值电压
在国家漏极电流
静态漏源导通电阻
V
GS
= 4.5V ，我
D
=4A
正向跨导
二极管的正向电压
V
DS
= 5V ，我
D
=8A
I
S
=1A,V
GS
=0V
V
DS
=0V,V
GS
=±16V
V
DS
=V
GS
I
D
=250µA
V
GS
=10V, V
DS
=5V
V
GS
= 10V ，我
D
=8A
T
J
=125°
C
1.2
40
17
23.5
20.5
30
0.45
0.5
3
575
V
GS
=0V, V
DS
= 15V ， F = 1MHz的
V
GS
=0V, V
DS
= 0V ， F = 1MHz的
115
50
0.5
12
V
GS
=10V, V
DS
= 15V ，我
D
=8A
6
730
165
82
1.1
15
7.5
2.5
3
5
V
GS
=10V, V
DS
= 15V ，R
L
=1.8Ω,
R
根
=3Ω
I
F
= 8A ， di / dt的= 500A / μs的
1in
2
民
30
典型值
最大
单位
V
静态参数
漏源击穿电压
BV
DSS
I
DSS
零栅极电压漏极电流
通过肖特基二极管的泄漏）
0.05
10
20
10
1.8
2.4
20.5
29
28
µA
V
A
mΩ
mΩ
S
V
A
pF
pF
pF
Ω
nC
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
ns
nC
mA
最大体二极管+肖特基连续电流
动力参数
C
国际空间站
输入电容
C
OSS
C
RSS
R
g
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
865
215
120
1.7
18
9
切换参数
Q
g
（ 10V ）总栅极电荷
Q
g
（ 4.5V ），总栅极电荷
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
Q
rr
门源电荷
闸漏极电荷
开启DelayTime
开启上升时间
关断DelayTime
关断下降时间
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷我
F
= 8A ， di / dt的= 500A / μs的
3.5
19
3.5
8
8
的R A的值
θJA
测与该设备安装在
FR- 4板2盎司铜，在静止空气环境和T
A
= 25°C 。值
在任何给定的应用程序依赖于用户的具体的电路板设计。
B.功耗P
D
是以T
J（下最大）
= 150℃，使用
≤
10秒结到环境的热阻。
C.重复评级，脉冲宽度有限的结温度T
J（下最大）
= 150℃。额定值基于低频和占空比，以保持
initialT
J
=25°C.
D.第r
θJA
是的热阻抗，从交界处领导的R总和
θJL
并导致环境。
E.图的静态特性1 〜6使用<300μs脉冲占空比0.5 ％最大的获得。
F.这些曲线是基于它利用安装在1英寸的设备结点到环境的热阻抗
2
FR- 4板2盎司
铜，假设T的最高结温
J（下最大）
= 150℃。在SOA曲线提供了一个单脉冲评级。
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启11 ： 2011年3月
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第3 9
AOSMD [ ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORS ]
