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    AO4914_11 参数 Datasheet PDF下载

    AO4914_11图片预览
    型号： AO4914_11
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 30V双N沟道MOSFET和肖特基二极管 [30V Dual N-Channel MOSFET with Schottky Diode]
    分类和应用： 肖特基二极管
    文件页数/大小： 9 页 / 655 K
    品牌： AOSMD [ ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORS ]
     浏览型号AO4914_11的Datasheet PDF文件第2页浏览型号AO4914_11的Datasheet PDF文件第3页浏览型号AO4914_11的Datasheet PDF文件第4页浏览型号AO4914_11的Datasheet PDF文件第5页浏览型号AO4914_11的Datasheet PDF文件第6页浏览型号AO4914_11的Datasheet PDF文件第7页浏览型号AO4914_11的Datasheet PDF文件第8页浏览型号AO4914_11的Datasheet PDF文件第9页  
    AO4914
    30V双N沟道MOSFET和肖特基二极管
    概述
    产品概述
    Q2(N-Channel)
    30V
    8A （V
    GS
    =10V)
    R
    DS （ ON）
    <20.5m
    R
    DS （ ON）
    <28m
    (V
    GS
    =10V)
    (V
    GS
    =4.5V)
    该AO4914采用先进的沟槽技术，提供
    Q1(N-Channel)
    优秀的研发
    DS （ ON）
    和低栅极电荷。两个MOSFET V
    DS
    = 30V
    使一个紧凑和高效的开关和同步
    I
    D
    = 8A （V
    GS
    =10V)
    整流器组合的DC- DC转换器的使用。一
    R
    DS （ ON）
    <20.5m
    肖特基二极管共同封装在平行于
    R
    DS （ ON）
    <28m
    同步MOSFET ，以进一步提高效率。
    ESD保护
    100 ％ UIS测试
    100% R
    g
    经过测试
    ESD保护
    100 ％ UIS测试
    100% R
    g
    经过测试
    肖特基
    V
    DS
    = 30V ，我
    F
    = 3A ，V
    F
    <0.5V@1A
    SOIC-8
    顶视图
    底部视图
    顶视图
    S1/A
    G1
    S2
    G2
    D1/K
    D1/K
    D2
    D2
    S1
    Pin1
    K
    G1
    A
    S2
    G2
    D1
    D2
    绝对最大额定值牛逼
    A
    = 25° ，除非另有说明
    C
    参数
    符号
    最大Q1
    漏源电压
    V
    DS
    30
    栅源电压
    连续漏极
    当前
    漏电流脉冲
    雪崩电流
    C
    C
    C
    最大Q2
    30
    ±20
    8
    6.5
    40
    19
    18
    2
    1.3
    -55到150
    单位
    V
    V
    A
    A
    mJ
    W
    °
    C
    单位
    V
    A
    V
    GS
    T
    A
    =25°
    C
    T
    A
    =70°
    C
    I
    D
    I
    DM
    I
    AS
    , I
    AR
    E
    AS
    , E
    AR
    P
    D
    T
    J
    , T
    英镑
    符号
    V
    DS
    T
    A
    =25°
    C
    C
    T
    A
    =70°
    I
    F
    I
    FM
    P
    D
    T
    J
    , T
    英镑
    ±20
    8
    6.5
    40
    19
    18
    2
    1.3
    雪崩能量L = 0.1mH
    T
    A
    =25°
    C
    功耗
    B
    T
    A
    =70°
    C
    结温和存储温度范围
    参数
    反向电压
    连续向前
    当前
    最大肖特基
    30
    3
    2.2
    20
    2
    1.28
    -55到150
    脉冲二极管正向电流
    C
    T
    A
    =25°
    C
    功耗
    B
    T
    A
    =70°
    C
    W
    °
    C
    结温和存储温度范围
    启11 ： 2011年3月
    www.aosmd.com
    第1页9

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