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AO4824L 参数 Datasheet PDF下载

AO4824L图片预览
型号: AO4824L
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内容描述: 30V双N沟道MOSFET [30V Dual N-Channel MOSFET]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 7 页 / 184 K
品牌: AOSMD [ ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORS ]
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AO4824L
Q2典型的电和热性能
5
4
V
GS
(伏)
3
2
1
C
RSS
0
0
5
10
15
20
25
30
35
Q
g
( NC )
图7 :栅极电荷特性
100
0
5
10
15
20
25
30
V
DS
(伏)
图8 :电容特性
V
DS
=15V
I
D
=9.8A
电容(pF)
10000
C
国际空间站
f=1MHz
V
GS
=0V
1000
C
OSS
100.0
T
J(下最大)
=150° T
A
=25°
C,
C
R
DS ( ON)
有限
10.0
I
D
(A)
1ms
10ms
0.1s
1.0
1s
10s
DC
0.1
0.1
1
V
DS
(伏)
图9 :最大正向偏置安全
工作区(注五)
10
100
100µs
10µs
功率(W)的
40
T
J(下最大)
=150°
C
T
A
=25°
C
30
20
10
0
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
脉冲宽度(S )
图10 :单脉冲功率额定值结点到
环境(注E)
10
Z
θ
JA
归一化瞬时
热阻
1
D =吨
on
/T
T
Ĵ ,PK
=T
A
+P
DM
.Z
θJA
.R
θJA
R
θJA
=110°
C / W
按降序排列
D = 0.5 ,0.3 ,0.1 ,0.05 ,0.02 , 0.01 ,单脉冲
0.1
P
D
0.01
单脉冲
T
on
T
0.001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
脉冲宽度(S )
图11 :归最大瞬态热阻抗
阿尔法&欧米茄半导体有限公司