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    AO4824L 参数 Datasheet PDF下载

    AO4824L图片预览
    型号： AO4824L
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 30V双N沟道MOSFET [30V Dual N-Channel MOSFET]
    分类和应用： 晶体晶体管
    文件页数/大小： 7 页 / 184 K
    品牌： AOSMD [ ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORS ]
     浏览型号AO4824L的Datasheet PDF文件第2页浏览型号AO4824L的Datasheet PDF文件第3页浏览型号AO4824L的Datasheet PDF文件第4页浏览型号AO4824L的Datasheet PDF文件第5页浏览型号AO4824L的Datasheet PDF文件第6页浏览型号AO4824L的Datasheet PDF文件第7页  
    AO4824L
    30V双N沟道MOSFET
    概述
    该AO4824L采用先进的沟槽技术
    提供了优秀的研发
    DS （ ON）
    和低栅极电荷。两
    的MOSFET使一个紧凑和高效的开关和
    同步整流器的组合为在DC-DC使用
    转换器。
    特点
    Q1
    V
    DS
    (V) = 30V
    I
    D
    = 8.5A
    R
    DS （ ON）
    < 17mΩ
    R
    DS （ ON）
    < 27mΩ
    Q2
    V
    DS
    (V) = 30V
    I
    D
    =9.8A
    (V
    GS
    = 10V)
    <13mΩ
    (V
    GS
    = 10V)
    <15mΩ
    (V
    GS
    = 4.5V)
    SOIC-8
    顶视图
    底部视图
    顶视图
    S2
    G2
    S1
    G1
    1
    2
    3
    4
    8
    7
    6
    5
    D2
    D2
    D1
    D1
    D1
    D2
    G1
    S1
    G2
    S2
    Pin1
    绝对最大额定值牛逼
    A
    = 25° ，除非另有说明
    C
    参数
    符号
    漏源电压
    V
    DS
    栅源电压
    连续漏极
    当前
    A
    漏电流脉冲
    B
    最大Q1
    30
    ±20
    8.5
    6.8
    30
    2
    1.28
    -55到150
    典型值
    48
    74
    35
    最大Q2
    30
    ±12
    9.8
    7.8
    40
    2
    1.28
    -55到150
    最大
    62.5
    110
    40
    单位
    V
    V
    A
    V
    GS
    T
    A
    =25°
    C
    T
    A
    =70°
    C
    T
    A
    =25°
    C
    I
    D
    I
    DM
    P
    D
    T
    J
    , T
    英镑
    符号
    R
    θJA
    R
    θJL
    符号
    R
    θJA
    R
    θJL
    C
    T
    A
    =70°
    功耗
    结温和存储温度范围
    参数：热特性MOSFET Q1
    t
    ≤
    10s
    最大结点到环境
    A
    A
    稳态
    最大结点到环境
    最大结对铅
    C
    W
    °
    C
    单位
    °
    C / W
    稳态
    参数：热特性MOSFET Q2
    t
    ≤
    10s
    最大结点到环境
    A
    最大结点到环境
    最大结对铅
    C
    A
    典型值
    48
    74
    35
    最大
    62.5
    110
    40
    单位
    °
    C / W
    稳态
    稳态
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