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    AO4612_10 参数 Datasheet PDF下载

    AO4612_10图片预览
    型号： AO4612_10
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 60V互补增强型场效应晶体管 [60V Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor]
    分类和应用： 晶体晶体管场效应晶体管
    文件页数/大小： 9 页 / 482 K
    品牌： AOSMD [ ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORS ]
     浏览型号AO4612_10的Datasheet PDF文件第1页浏览型号AO4612_10的Datasheet PDF文件第2页浏览型号AO4612_10的Datasheet PDF文件第3页浏览型号AO4612_10的Datasheet PDF文件第4页浏览型号AO4612_10的Datasheet PDF文件第5页浏览型号AO4612_10的Datasheet PDF文件第6页浏览型号AO4612_10的Datasheet PDF文件第7页浏览型号AO4612_10的Datasheet PDF文件第9页  
    AO4612
    典型的电和热性能： P- CHANNEL
    10
    1400
    1200
    8
    -V
    GS
    （伏）
    电容（pF）
    V
    DS
    =-30V
    I
    D
    =-3.2A
    1000
    800
    600
    400
    C
    OSS
    200
    0
    0
    4
    8
    12
    16
    20
    0
    0
    10
    20
    30
    40
    50
    60
    -Q
    g
    （ NC ）
    图7 ：栅极电荷特性
    -V
    DS
    （伏）
    图8 ：电容特性
    C
    RSS
    C
    国际空间站
    6
    4
    2
    100.0
    40
    T
    J（下最大）
    =150°C
    T
    A
    =25°C
    功率（W）的
    R
    DS （ ON）
    有限
    30
    100µs
    1ms
    10ms
    0.1s
    1s
    10.0
    -I
    D
    （安培）
    1.0
    20
    0.1
    T
    J（下最大）
    =150°C
    T
    A
    =25°C
    0.1
    1
    10
    10s
    DC
    0.0
    0
    10
    -V
    DS
    （伏）
    100
    0.001
    0.01
    0.1
    1
    10
    100
    1000
    脉冲宽度（S ）
    图10 ：单脉冲功率额定值结点到
    环境（注E）
    图9 ：最大正向偏置安全
    工作区（注五）
    10
    Z
    θ
    JA
    归一化瞬时
    热阻
    D =吨
    on
    /T
    T
    Ĵ ，PK
    =T
    A
    +P
    DM
    .Z
    θJA
    .R
    θJA
    R
    θJA
    =62.5°C/W
    1
    按降序排列
    D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ， 0.01 ，单脉冲
    P
    D
    0.1
    T
    on
    单脉冲
    0.01
    0.00001
    0.0001
    0.001
    0.01
    脉冲宽度（S ）
    0.1
    1
    10
    图11 ：归最大瞬态热阻抗
    100
    1000
    T
    阿尔法&欧米茄半导体有限公司

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