AO4612_10 参数 Datasheet PDF下载

型号：	AO4612_10
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内容描述：	60V互补增强型场效应晶体管 [60V Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor]
分类和应用：	晶体晶体管场效应晶体管
文件页数/大小：	9 页 / 482 K
品牌：	AOSMD [ ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORS ]

AO4612

60V互补增强型场效应晶体管

概述

该AO4612采用先进的沟槽技术

MOSFET，以提供优秀的研发

DS （ ON）

和低门

费。互补MOSFET的可能

在H桥，逆变器和其他应用程序使用。

特点

N沟道

(V) = 60V

= 4.5A （V

=10V)

DS （ ON）

< 56mΩ （V

=10V)

< 77mΩ （V

=4.5V)

P沟道

-60V

-3.2A （V

= -10V)

DS （ ON）

< 105mΩ （V

= -10V)

< 135mΩ （V

= -4.5V)

100 ％通过Rg测试

SOIC-8

顶视图

底部视图

SOIC-8

Pin1

N沟道

P沟道

绝对最大额定值牛逼

= 25 ° C除非另有说明

符号

参数

最大的n沟道

漏源电压

栅源电压

±20

连续漏极

当前

漏电流脉冲

功耗

最大的p沟道

-60

±20

-3.2

-2.6

-20

1.28

-55到150

最大

62.5

单位

=25°C

=70°C

=25°C

=70°C

4.5

3.6

1.28

-55到150

典型值

°C

单位

° C / W

, T

英镑

结温和存储温度范围

热特性： n沟道和p沟道

参数

符号

≤

10s

最大结点到环境

θJA

稳态

最大结点到环境

θJL

稳态

最大结对铅

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