AO4600
p沟道MOSFET的电特性（T = 25℃，除非另有说明）
J
参数
符号
静态参数
BV
DSS
漏源击穿电压
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
I
D（上）
R
DS （ ON）
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅极阈值电压
在国家漏极电流
条件
I
D
= -250μA ，V
GS
=0V
V
DS
=-24V, V
GS
=0V
T
J
=55°C
V
DS
=0V, V
GS
=±12V
V
DS
=V
GS
I
D
=-250µA
V
GS
=-4.5V, V
DS
=-5V
V
GS
= -10V ，我
D
=-5A
T
J
=125°C
54
7
80
11
-0.75
-0.7
-25
42.5
49
74
64
120
-1
-3
952
103
77
5.9
9.5
2
3.1
12
4
37
12
21
13
1200
-1
民
-30
-1
-5
±100
-1.4
典型值
最大
单位
V
µA
nA
V
A
mΩ
mΩ
mΩ
S
V
A
pF
pF
pF
Ω
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
26
ns
nC
g
FS
V
SD
I
S
V
GS
= -4.5V ，我
D
=-4A
V
GS
= -2.5V ，我
D
=-1A
正向跨导
V
DS
= -5V ，我
D
=-5A
二极管的正向电压
I
S
=-1A,V
GS
=0V
最大体二极管连续电流
静态漏源导通电阻
动力参数
C
国际空间站
输入电容
C
OSS
输出电容
C
RSS
反向传输电容
R
g
栅极电阻
切换参数
Q
g
总栅极电荷
Q
gs
门源电荷
Q
gd
闸漏极电荷
t
D（上）
开启DelayTime
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
Q
rr
开启上升时间
关断DelayTime
关断下降时间
V
GS
=0V, V
DS
= -15V ， F = 1MHz的
V
GS
=0V, V
DS
= 0V ， F = 1MHz的
30
12
V
GS
=-4.5V, V
DS
= -15V ，我
D
=-5A
V
GS
=-10V, V
DS
= -15V ，R
L
=3Ω,
R
根
=6Ω
I
F
= -5A ，的di / dt = 100A / μs的
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷我
F
= -5A ，的di / dt = 100A / μs的
2
答： R的值
θJA
测量与安装在1英寸的设备
2
FR- 4板2盎司铜，在静止空气环境和T
A
= 25°C 。值
答： R的值
θJA
测定用安装在1英寸FR-4板2盎司的设备。铜，在静止空气环境和T
A
= 25°C 。该
在任何给定的应用程序依赖于用户的具体的电路板设计。的电流额定值是基于吨
≤
10秒热阻率。
在任何等级值，应用受限于结温。
B： Repetitivea给定的脉冲宽度取决于用户的具体电路板设计。的电流额定值是基于吨
≤
10秒热阻
投资评级。
C.第r
θJA
是的热阻抗，从交界处领导的R总和
θJL
并导致环境。
B：重复评级，脉冲宽度有限的结温。
图D.静态特性1〜 6,12,14使用80获得
µs
脉冲占空比0.5 ％以下。
C.第r
θJA
是的热阻抗，从交界处领导的R总和
θJL
并导致环境。
E.这些测试使用安装在1设备中进行
2
FR- 4板2盎司铜，在静止空气环境和T
A
= 25°C 。国家海洋局
图D.静态特性1〜 6,12,14使用80获得
µs
脉冲占空比0.5 ％以下。
曲线提供了单个脉冲的评价。
2
E.这些测试使用安装在1 FR-4板用2盎司的装置进行。铜，在静止空气环境和T
A
= 25°C 。该
启4 ： 2005年9月
SOA曲线提供了一个单脉冲评级。
本产品的设计和合格的消费市场。应用或使用中的关键
生命支持设备或系统组件没有授权。 AOS不承担任何责任
OUT此类应用及其产品的用途。 AOS保留改进产品设计的权利，
性能和可靠性，恕不另行通知。
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