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AO4600L 参数 Datasheet PDF下载

AO4600L图片预览
型号: AO4600L
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内容描述: 互补增强型场效应晶体管 [Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管场效应晶体管
文件页数/大小: 7 页 / 268 K
品牌: AOSMD [ ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORS ]
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AO4600
典型的N沟道导电性和导热特性
30
25
20
I
D
(A)
15
10
5
0
0
10V
20
3V
4.5V
2.5V
I
D
(A)
16
12
8
4
0
1
2
3
4
5
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
V
DS
(伏)
图1 :在区域特征
V
GS
(伏)
图2 :传输特性
125°C
25°C
V
DS
=5V
V
GS
=2V
60
50
R
DS ( ON)
(m
)
40
30
20
10
0
5
10
15
20
I
D
(安培)
图3 :导通电阻与漏电流和
栅极电压
V
GS
=4.5V
V
GS
=2.5V
归一化的导通电阻
1.7
1.6
1.5
1.4
1.3
1.2
1.1
1
0.9
0.8
0
50
100
150
200
温度(℃)
图4 :导通电阻与结
温度
I
D
=5A
V
GS
=4.5V
V
GS
=10V
V
GS
=2.5V
V
GS
=10V
70
60
R
DS ( ON)
(m
)
50
40
30
20
10
0
2
4
6
8
10
V
GS
(伏)
图5 :导通电阻与栅源电压
25°C
125°C
1.0E+01
I
D
=5A
I
S
安培
1.0E+00
1.0E-01
1.0E-02
1.0E-03
1.0E-04
1.0E-05
1.0E-06
0.00
125°C
25°C
0.25
0.50
0.75
1.00
1.25
1.50
V
SD
(伏)
图6 :体二极管的特性
阿尔法&欧米茄半导体有限公司