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AO4478 参数 Datasheet PDF下载

AO4478图片预览
型号: AO4478
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内容描述: 30V N沟道MOSFET [30V N-Channel MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 6 页 / 197 K
品牌: AOSMD [ ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORS ]
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AO4478
典型的电气和热特性
10
V
DS
=15V
I
D
=9A
800
8
V
GS
(伏)
电容(pF)
600
C
国际空间站
400
6
4
2
200
C
OSS
C
RSS
0
5
10
15
20
25
30
0
0
2
4
6
8
10
Q
g
( NC )
图7 :栅极电荷特性
0
V
DS
(伏)
图8 :电容特性
70
I
D
(A ) ,峰值雪崩电流
60
50
40
30
20
10
T
A
=150°C
T
A
=150°C
T
A
=100°C
T
A
=25°C
T
A
=25°C
I
D
(安培)
1000
R
DS ( ON)
有限
100
10
1
0.1
0.01
T
J(下最大)
=150°C
T
A
=25°C
10µs
100µs
1ms
10ms
100ms
T
A
=125°C
10s
DC
1
V
DS
(伏)
图10 :最大正向偏置
安全工作区(注F)
10
100
0
0.000001
0.1
0.00001
0.0001
0.001
在雪崩时间t
A
(s)
图9 :单脉冲雪崩能力
(注三)
1000
T
J(下最大)
=150°C
T
A
=25°C
功率(W)的
100
10
1
0.00001
0.001
0.1
10
1000
脉冲宽度(S )
图11 :单脉冲功率额定值结到环境(注F)
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