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AO4478 参数 Datasheet PDF下载

AO4478图片预览
型号: AO4478
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内容描述: 30V N沟道MOSFET [30V N-Channel MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 6 页 / 197 K
品牌: AOSMD [ ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORS ]
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AO4478
30V N沟道MOSFET
概述
该AO4478采用先进的沟槽技术
提供了优秀的研发
DS ( ON)
,低栅极电荷。这
设备是适合用作一般puspose , PWM和
负荷开关应用。
产品概述
V
DS
(V) = 30V
I
D
= 9A (V
GS
= 10V)
R
DS ( ON)
<19mΩ (V
GS
= 10V)
R
DS ( ON)
<26mΩ (V
GS
= 4.5V)
100 % UIS测试
100 %通过Rg测试
SOIC-8
顶视图
D
D
D
D
底部视图
D
G
S
S
S
G
S
绝对最大额定值牛逼
A
= 25° ,除非另有说明
C
参数
符号
漏源电压
V
DS
栅源电压
连续漏极
当前
C
最大
30
±25
9.0
7.0
60
17
14
3.1
2.0
-55到150
单位
V
V
V
GS
T
A
=25°
C
C
T
A
=70°
I
D
I
DM
IAR
EAR
P
D
T
J
, T
英镑
漏电流脉冲
雪崩电流
C
重复雪崩能量L = 0.1mH
C
T
A
=25°
C
功耗
B
C
T
A
=70°
结温和存储温度范围
热特性
参数
最大结点到环境
A
最大结点到环境
AD
最大结对铅
C
A
mJ
W
°
C
符号
t
10s
稳态
稳态
R
θJA
R
θJL
典型值
31
59
16
最大
40
75
24
单位
°
C / W
°
C / W
°
C / W
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
www.aosmd.com