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AO4470 参数 Datasheet PDF下载

AO4470图片预览
型号: AO4470
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内容描述: N沟道增强型网络场效晶体管 [N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 4 页 / 126 K
品牌: AOSMD [ ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORS ]
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AO4470
典型的电气和热特性
5
4
V
GS
(伏)
3
2
1
0
0
10
40
50
60
70
80
Q
g
( NC )
图7 :栅极电荷特性
20
30
90
12000
V
DS
=15V
I
D
=18A
电容(pF)
10000
8000
6000
4000
2000
0
0
15
20
25
V
DS
(伏)
图8 :电容特性
5
10
30
C
OSS
C
RSS
C
国际空间站
100.0
R
DS ( ON)
有限
10ms
10.0
I
D
(安培)
0.1s
1s
10s
1.0
T
J(下最大)
=150°C
T
A
=25°C
0.1
0.1
1
10
100
V
DS
(伏)
图9 :最大正向偏置安全
工作区(注五)
DC
100µs
1ms
功率(W)的
10µs
100
80
60
40
20
0
0.001
T
J(下最大)
=150°C
T
A
=25°C
0.01
0.1
1
10
100
1000
脉冲宽度(S )
图10 :单脉冲功率额定值结点到
环境(注E)
10
Z
θ
JA
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
T
Ĵ ,PK
=T
A
+P
DM
.Z
θJA
.R
θJA
R
θJA
=40°C/W
按降序排列
D = 0.5 ,0.3 ,0.1 ,0.05 ,0.02 , 0.01 ,单脉冲
1
0.1
单脉冲
P
D
T
on
性能和可靠性,恕不另行通知。
0.01
0.00001
T
0.0001
0.1
1
10
脉冲宽度(S )
图11 :归最大瞬态热阻抗
0.001
0.01
100
1000
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