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型号: AO4470
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内容描述: N沟道增强型网络场效晶体管 [N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 4 页 / 126 K
品牌: AOSMD [ ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORS ]
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AO4470
N沟道增强型网络场效晶体管
概述
该AO4470采用先进的沟槽技术
提供了优秀的研发
DS ( ON)
,直通免疫力,
体二极管的特性和超低栅极
性。此装置非常适合于用作
在笔记本电脑CPU内核电源低压侧开关
转换。
标准产品AO4470是Pb-free
(符合ROHS &索尼259规格) 。 AO4470L
是一种绿色产品订购选项。 AO4470和
AO4470L是电相同。
特点
V
DS
(V) = 30V
I
D
= 18A
R
DS ( ON)
< 5.5mΩ
R
DS ( ON)
< 6.2mΩ
(V
GS
= 10V)
(V
GS
= 10V)
(V
GS
= 4.5V)
D
S
S
S
G
D
D
D
D
G
S
SOIC-8
绝对最大额定值牛逼
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
符号
V
DS
漏源电压
V
GS
栅源电压
连续漏极
当前
A
漏电流脉冲
B
T
A
=25°C
功耗
T
A
=70°C
结温和存储温度范围
热特性
参数
最大结点到环境
A
最大结点到环境
A
最大结对铅
C
T
A
=25°C
T
A
=70°C
I
D
I
DM
P
D
T
J
, T
英镑
最大
30
±12
18
15
80
3
2.1
-55到150
单位
V
V
A
W
°C
符号
t
10s
稳态
稳态
R
θJA
R
θJL
典型值
31
59
16
最大
40
75
24
单位
° C / W
° C / W
° C / W
阿尔法&欧米茄半导体有限公司