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AO4435_11 参数 Datasheet PDF下载

AO4435_11图片预览
型号: AO4435_11
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内容描述: 30V P沟道MOSFET [30V P-Channel MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 5 页 / 196 K
品牌: AOSMD [ ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORS ]
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AO4435
典型的电气和热特性
80
-10V
-8V
60
-I
D
(A)
-6V
-I
D
(A)
60
80
V
DS
= -5V
40
-4.5V
20
V
GS
= -4V
0
0
1
2
3
4
5
-V
DS
(伏)
图1 :在区域特征
40
40
125°
C
20
25°
C
0
0
1
2
3
4
5
6
-V
GS
(伏)
图2 :传输特性
1.6
归一化的导通电阻
35
30
R
DS ( ON)
(m
)
25
20
V
GS
=-5V
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
V
GS
=-10V
I
D
=-10A
V
GS
=-20V
I
D
=-11A
V
GS
=-5V
I
D
=-5A
V
GS
=-10V
15
10
V
GS
=-20V
5
0
5
10
15
20
-I
D
(A)
图3 :导通电阻与漏电流和
栅极电压
0
25
50
75
100
125
150
175
温度( δ
C)
图4 :导通电阻与结
温度
55
I
D
=-11A
1E+01
1E+00
45
1E-01
R
DS ( ON)
(m
)
-I
S
(A)
35
1E-02
1E-03
1E-04
15
25°
C
5
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
-V
GS
(伏)
图5 :导通电阻与栅源电压
1E-05
1E-06
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
-V
SD
(伏)
图6 :体二极管的性能
25°
C
125°
C
25
125°
C
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
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