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AO4435_11 参数 Datasheet PDF下载

AO4435_11图片预览
型号: AO4435_11
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内容描述: 30V P沟道MOSFET [30V P-Channel MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 5 页 / 196 K
品牌: AOSMD [ ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORS ]
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AO4435
电气特性(T
J
= 25℃除非另有说明)
C
符号
参数
条件
I
D
= -250μA ,V
GS
= 0V
V
DS
= -30V, V
GS
= 0V
T
J
= 55°
C
V
DS
= 0V, V
GS
= ±25V
V
DS
= V
GS
I
D
= -250µA
V
GS
= -10V, V
DS
= -5V
V
GS
= -20V ,我
D
= -11A
R
DS ( ON)
静态漏源导通电阻
T
J
=125°
C
V
GS
= -10V ,我
D
= -10A
V
GS
= -5V ,我
D
= -5A
g
FS
V
SD
I
S
正向跨导
二极管的正向电压
V
DS
= -5V ,我
D
= -10A
I
S
= -1A ,V
GS
= 0V
-1.7
-80
11
15
15
27
22
-0.74
-1
-3.5
1130
V
GS
=0V, V
DS
= -15V , F = 1MHz的
V
GS
=0V, V
DS
= 0V , F = 1MHz的
1
240
155
5.8
18
V
GS
=-10V, V
DS
= -15V ,我
D
=-10A
9.5
5.5
3.3
8.7
V
GS
=-10V, V
DS
= -15V ,R
L
=1.5Ω,
R
=3Ω
I
F
= -10A ,的di / dt = 100A / μs的
8.5
18
7
25
12
30
nC
nC
ns
ns
ns
ns
ns
nC
8
24
1400
14
19
18
36
S
V
A
pF
pF
pF
nC
mΩ
-2.3
-30
-1
-5
±100
-3
典型值
最大
单位
V
µA
nA
V
A
静态参数
BV
DSS
漏源击穿电压
I
DSS
I
GSS
V
GS ( TH)
I
D(上)
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅极阈值电压
在国家漏极电流
最大体二极管连续电流
动力参数
C
国际空间站
输入电容
C
OSS
C
RSS
R
g
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
切换参数
Q
g(10V)
总栅极电荷
Q
g(4.5V)
Q
gs
Q
gd
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
t
rr
Q
rr
总栅极电荷
门源电荷
闸漏极电荷
开启DelayTime
开启上升时间
关断DelayTime
关断下降时间
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷我
F
= -10A ,的di / dt = 100A / μs的
答: R的值
θJA
测量其上安装有1中的装置
2
FR- 4板2盎司铜,在静止空气环境和T
A
= 25°
C.
在任何给定应用程序中的值取决于用户的具体的电路板设计。的电流额定值是基于吨
10S热
性的评价。
B:重复评级,脉冲宽度有限的结温。
C.第r
θJA
是的热阻抗,从交界处领导的R总和
θJL
并导致环境。
D.在附图中的静态特性1〜6使用<300μs脉冲,占空比0.5%以下,获得。
E.这些测试使用安装在1设备中进行
2
FR- 4板2盎司铜,在静止空气环境和T
A
= 25°的
C.
SOA曲线提供了一个单脉冲评级。
F的电流额定值是基于吨
10秒热阻率。
G. ê
AR
AR
评级是基于低频和占空比,以保持牛逼
j
=25C.
Rev7 : 2010年11月
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