AO3434
典型的电气和热特性
30
10V
25
20
I
D
(A)
15
10
5
V
GS
=3V
0
0
1
2
3
4
5
V
DS
（伏）
图1 ：在区域特征
80
70
R
DS （ ON）
(m
Ω
)
60
50
40
V
GS
=10V
30
0
5
10
15
20
I
D
(A)
图3 ：导通电阻与漏电流和
栅极电压
归一化的导通电阻
V
GS
=4.5V
1.8
1.6
1.4
1.2
1
0.8
0
25
50
75
100
125
150
175
温度（℃）
图4 ：导通电阻与结
温度
V
GS
=4.5V
Id=3.5A
V
GS
=10V
Id=4.2A
0
0
1
2
3
4
5
6
V
GS
（伏）
图2 ：传输特性
8V
6V
4.5V
9
4V
3.5V
I
D
(A)
12
V
DS
=5V
15
6
125°C
3
25°C
102
I
D
=4.2A
90
78
66
125°C
I
S
(A)
1.0E+01
1.0E+00
1.0E-01
1.0E-02
125°C
25°C
本产品的设计和合格的消费市场。应用或使用中的关键
1.0E-03
54
生命支持设备或系统组件没有授权。 AOS不承担任何责任
OUT此类APPLICATIONS25 ℃，使用它的产品。 AOS保留改进产品设计的权利，
OR
1.0E-04
42和可靠性，恕不另行通知。
功能
30
2
4
6
8
10
V
GS
（伏）
图5 ：导通电阻与栅源电压
1.0E-05
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
V
SD
（伏）
图6 ：体二极管的性能
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
R
DS （ ON）
(m
Ω
)
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