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AO3434_10 参数 Datasheet PDF下载

AO3434_10图片预览
型号: AO3434_10
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内容描述: 30V N沟道MOSFET [30V N-Channel MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 4 页 / 174 K
品牌: AOSMD [ ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORS ]
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AO3434
30V N沟道MOSFET
概述
该AO3434采用先进的沟槽技术
提供了优秀的研发
DS ( ON)
和低栅极电荷。
这个装置是适合于用作负载开关或
在PWM应用。这是ESD保护。
产品概述
V
DS
(V) = 30V
I
D
= 4.2A
R
DS ( ON)
< 52mΩ
R
DS ( ON)
< 75mΩ
ESD保护
(V
GS
= 10V)
(V
GS
= 10V)
(V
GS
= 4.5V)
SOT23
顶视图
底部视图
D
D
D
G
S
G
S
G
S
绝对最大额定值牛逼
A
= 25° ,除非另有说明
C
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏极
当前
A,F
漏电流脉冲
B
T
A
=25°
C
功耗
T
A
=70°
C
结温和存储温度范围
热特性
参数
最大结点到环境
最大结点到环境
最大结对铅
C
A
A
符号10秒
V
DS
V
GS
4.2
I
D
I
DM
P
D
T
J
, T
英镑
1.4
0.9
3.3
最大
稳态
30
±20
3.5
2.8
30
1.0
0.64
-55到150
单位
V
V
A
T
A
=25°
C
T
A
=70°
C
W
°
C
符号
t
10s
稳态
稳态
R
θJA
R
θJL
典型值
70
100
63
最大
90
125
80
单位
°
C / W
°
C / W
°
C / W
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
www.aosmd.com