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AO3415AL 参数 Datasheet PDF下载

AO3415AL图片预览
型号: AO3415AL
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内容描述: P沟道增强型场效应晶体管 [P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管场效应晶体管
文件页数/大小: 5 页 / 269 K
品牌: AOSMD [ ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORS ]
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AO3415AL
典型的电气和热特性
40
35
30
25
I
D
(A)
20
15
10
5
0
0
1
2
3
4
5
V
DS
(伏)
图1 :在区域特性(注五)
100
V
GS
=-1.5V
80
R
DS ( ON)
(m
)
归一化的导通电阻
1.60
I
D
= -4A ,V
GS
=-4.5V
1.40
I
D
= -4A ,V
GS
=-2.5V
V
GS
=-1.5V
0
0
0.5
1
1.5
2
V
GS
(伏)
图2 :传输特性(注五)
-2.0V
-2.5V
9
I
D
(A)
6
3
-8V
-4.5V
-3.0V
12
15
V
DS
=-5V
125°C
25°C
60
V
GS
=-1.8V
40
V
GS
=-2.5V
V
GS
=-4.5V
20
0
6
8
10
I
D
(A)
图3 :导通电阻与漏电流和
栅极电压(注五)
2
4
1.20
1.00
17
5
I
D
= -2A ,V
GS
=-1.8V
2
10
0.80
0
25
50
75
100
125
150
175
温度(℃)
0
图4 :导通电阻与结温
18
(注五)
120
I
D
=-4A
100
R
DS ( ON)
(m
)
80
125°C
60
40
20
0
2
4
25°C
6
8
1.0E+01
1.0E+00
40
1.0E-01
I
S
(A)
1.0E-02
1.0E-03
1.0E-04
1.0E-05
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
V
SD
(伏)
图6 :体二极管的特性(注五)
125°C
25°C
V
GS
(伏)
图5 :导通电阻与栅源电压
(注五)
冯0 : 2009年1月
www.aosmd.com
第3 5