AO3415AL 参数 Datasheet PDF下载

型号：	AO3415AL
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内容描述：	P沟道增强型场效应晶体管 [P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor]
分类和应用：	晶体晶体管场效应晶体管
文件页数/大小：	5 页 / 269 K
品牌：	AOSMD [ ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORS ]

AO3415AL

P沟道增强模式

场效应晶体管

概述

该AO3415AL采用先进的沟槽技术

提供了优秀的研发

DS （ ON）

，低栅极电荷和操作

与栅极电压可低至1.8V 。此装置适用于

用作负载开关应用。

产品概述

参数

（在V

=-4.5V)

DS （ ON）

（在V

= -4.5V)

DS （ ON）

（在V

= -2.5V)

DS （ ON）

（在V

= -1.8V)

-20V

-4A

< 45mΩ

< 54mΩ

< 68mΩ

- 符合RoHS标准

- 无卤素

ESD保护

SOT23

顶视图

底部视图

绝对最大额定值牛逼

= 25 ° C除非另有说明

参数

符号

漏源电压

栅源电压

连续漏极

当前

漏电流脉冲

功耗

最大

-20

±8

-4

-3.5

-30

1.5

-55到150

单位

=25°C

=70°C

, T

英镑

=25°C

=70°C

结温和存储温度范围

热特性

参数

最大结点到环境

A D

最大结对铅

°C

符号

≤

10s

稳态

θJA

θJL

典型值

最大

100

单位

° C / W

冯0 ： 2009年1月

www.aosmd.com

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