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AO3162 参数 Datasheet PDF下载

AO3162图片预览
型号: AO3162
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内容描述: 600V , 0.034A N沟道MOSFET [600V,0.034A N-Channel MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 5 页 / 262 K
品牌: AOSMD [ ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORS ]
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AO3162
典型的电气和热特性
10
V
DS
=400V
I
D
=0.01A
电容(pF)
100.00
8
10.00
C
国际空间站
V
GS
(伏)
6
1.00
C
OSS
4
C
RSS
0.10
2
0
0.00
0.06
0.09
Q
g
( NC )
图7 :栅极电荷特性
0.03
0.12
0.01
0.1
1
10
V
DS
(伏)
图8 :电容特性
100
1
100µs
0.1
I
D
(安培)
R
DS ( ON)
有限
DC
T
J(下最大)
=150°C
T
A
=25°C
0.0001
1
10
V
DS
(伏)
图9 :最大正向偏置安全
工作区(注五)
100
1000
10ms
0.1s
1s
10s
功率(W)的
1ms
0.01
120
100
80
60
40
20
0
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
脉冲宽度(S )
图10 :单脉冲功率额定值结点到
环境(注E)
T
J(下最大)
=150°C
T
A
=25°C
0.001
10
Z
θ
JC
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
T
Ĵ ,PK
=T
A
+P
DM
.Z
θJA
.R
θJA
R
θJA
=125°C/W
按降序排列
D = 0.5 ,0.3 ,0.1 ,0.05 ,0.02 , 0.01 ,单脉冲
1
0.1
P
D
0.01
单脉冲
0.001
1E-05
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
脉冲宽度(S )
图11 :归最大瞬态热阻抗(注五)
T
on
T
REV0 : 2012年5月
www.aosmd.com
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