AO3162 参数 Datasheet PDF下载

型号：	AO3162
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内容描述：	600V ， 0.034A N沟道MOSFET [600V,0.034A N-Channel MOSFET]
分类和应用：
文件页数/大小：	5 页 / 262 K
品牌：	AOSMD [ ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORS ]

AO3162

600V ， 0.034A N沟道MOSFET

概述

该AO3162采用先进的高电压制

这是旨在提供高水平的MOSFET工艺

在流行的AC- DC的性能和耐用性

应用程序。

通过提供低R

DS （ ON）

, C

国际空间站

和C

RSS

随着

雪崩能力保证该设备能

通过迅速进入新的和现有的离线电源

设计。

产品概述

（在V

=10V)

DS （ ON）

（在V

=10V)

700V@150℃

0.034A

＆ LT ; 500Ω

顶视图

SOT23A

底部视图

绝对最大额定值牛逼

= 25° ，除非另有说明

参数

符号

漏源电压

栅源电压

连续漏极

当前

A，F

最大

600

±30

0.034

0.028

0.16

1.39

0.89

-50-150

单位

V / ns的

=25°

=70°

dv / dt的

, T

英镑

漏电流脉冲

峰值二极管恢复的dv / dt

=25°

功耗

=70°

结温和存储温度范围

热特性

参数

最大结点到环境

最大结对铅

符号

≤

10s

稳态

θJA

θJL

典型值

100

最大

125

单位

C / W

REV0 ： 2012年5月

www.aosmd.com

第1页5

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