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2N7002G-AE2-R 参数 Datasheet PDF下载

2N7002G-AE2-R图片预览
型号: 2N7002G-AE2-R
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内容描述: N沟道增强模式 [N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE]
分类和应用: 晶体晶体管开关光电二极管
文件页数/大小: 6 页 / 576 K
品牌: AMS [ Advanced Monolithic Systems Ltd ]
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AMS 2N7002
典型特性的影响(续)
击穿电压Varisation
随温度
1.1
归漏源击穿
电压BV
DSS
1.075
1.05
1.025
1
0.975
0.95
0.925
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150
结温,T
J
(°C)
2
I
D
= 250μA
反向漏电流,I
S
(A)
1
0.5
T
J
=125℃
0.1
0.05
0.01
0.005
0.001
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
体二极管正向电压,V
SD
(V)
25℃
体二极管正向电压Varisation
随温度
V
GS
=0V
5
先进的单片系统
http://www.ams-semitech.com
标准化的有效瞬态热
电阻, R(T )
漏电流,我
D
(A)
栅源电压,V
GS
(V)
电容(pF)