2N7002G-AE2-R 参数 Datasheet PDF下载

型号：	2N7002G-AE2-R
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内容描述：	N沟道增强模式 [N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE]
分类和应用：	晶体晶体管开关光电二极管
文件页数/大小：	6 页 / 576 K
品牌：	AMS [ Advanced Monolithic Systems Ltd ]

AMS 2N7002

典型特征

导通电阻特性

=10V

漏源电流，我

(A)

1.5

6.0V

5.0V

0.5

9.0V

8.0V

7.0V

=4.0V 4.5V

归漏源

导通电阻，R

DS （ ON）

2.5

5.0V

6.0V

7.0V

1.5

8.0V

9.0V

10V

导通电阻Varisation与门

电压和漏极电流

4.0V

3.0V

漏极 - 源极电压V

(V)

0.5

0.4

0.8

1.2

1.6

漏电流，我

(A)

导通电阻Varisation与排水

电流和温度

归漏源开 -

电阻R

DS （ ON）

=10V

=125℃

导通电阻Varisation与温度

归漏源

导通电阻，R

DS （ ON）

1.75

1.5

1.25

0.75

0.5

-50

- 25

100 125 150

结温，T

(°C)

传输特性

=10V

25℃

1.1

125℃

归一门极 - 源

电压，V

GS （ TH）

1.05

0.95

0.9

0.85

0.8

-50

=10V

=500mA

2.5

1.5

25℃

0.5

0.4

0.8

1.2

1.6

漏电流，我

(A)

栅极阈值Varisation与温度

= V

= 1毫安

1.6

漏电流，我

(A)

1. 8

1.2

0.4

门源电压，V

(V)

-25

100 125 150

结温，T

(°C)

先进的单片系统

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