AS1360
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9应用信息
图14. AS1360 - 典型应用图
C
IN
1µF
*
V
IN
AS1360
V
OUT
C
OUT
1µF
*
GND
*
1
的AS1360的功耗（PD ）是由p沟道MOSFET和静态电流消耗的功率的需要，以偏压的总和
内部参考电压和内部功率放大器，以及计算公式为：
PD（ P沟道MOSFET ） = （Ⅴ
IN
- V
OUT
)I
OUT
PD （ BIAS） =
V
IN
I
GND
（公式1）
（公式2 ）
（公式3 ）
内部功耗作为偏置电流的内部基准电压和误差放大器的结果被计算为：
总AS1360功耗的计算公式为：
内部静态偏置电流（ 2 A，典型值）是这样的PD （偏置）项的（ EQ 3 ）可以忽略不计，最大功耗
可以用V来估计
IN （MAX）
和V
OUT （分钟）
以获得V之间的最大电压差
IN
和V
OUT
和乘以马克西
妈妈的电压差由最大输出电流：
PD = （V
IN （MAX）
V
OUT （分钟）
)I
输出（最大）
（公式4 ）
其中：
V
IN
= 3.3〜 4.1V
V
OUT
= 3.0V ±2%
I
OUT
= 1至100mA
T
AMB （最大值）
= 55ºC
P
最大
= （ 4.1V - （ 3.0V X 0.98 ） ）×百毫安= 116.0mW
结温
该AS1360结温（T
J
）可以通过首先计算从结温到环境温的热阻来决定
perature 。
注意：
热电阻，估计是在结温 - 空气温度ř
θJA
和大约230℃/ W或335ºC / W的
（安装在铜的1平方英寸时） 。 ř
θJA
将根据PCB布局，空气流动和特定应用条件而变化。
的AS1360结温是通过计算引起T中确定
J
上述牛逼
AMB
中，然后加入T的增加
AMB
:
Te
c
hn
一个IC
人米
共s
A
NT摹
ts
TIL
PD （总） = PD （ P沟道MOSFET ） + PD （偏置）
T
J
= P
D（最大）
个R
Φ
JA
+
T
AMB
T
J
= 116.0mW X 230ºC / W + 55ºC
T
J
= 81.68ºC
版本1.07
功耗
从（ EQ 5 ） ， T的值
J
可以计算为：
因此：
lv
（ EQ 5 ）
8 - 13
钽电容
al
id
+9V
碱性
电池
3
2
V
OUT
= 3.3V
AMSCO [ AUSTRIAMICROSYSTEMS AG ]
