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N64S0818HDA 参数 Datasheet PDF下载

N64S0818HDA图片预览
型号: N64S0818HDA
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内容描述: 64Kb的低功耗串行SRAM的8K × 8位组织 [64Kb Low Power Serial SRAMs 8K 】 8 bit Organization]
分类和应用: 静态存储器
文件页数/大小: 15 页 / 201 K
品牌: AMI [ AMI SEMICONDUCTOR ]
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AMI半导体公司
写操作
N64S0818HDA/N64S0830HDA
超前信息
串行SRAM写的是选择能够在CS为低电平。首先,将8位的写指令被发送
到设备随后的16位地址的3个MSB是不在意。在写指令后
和地址被发送,将要存储在存储器中的数据被移位在SI引脚上。
如果在页模式下操作,后数据的初始字被移位,附加的数据字可以被写为
只要所要求的地址是连续的同一页上。简单地写SI引脚上的数据,
继续提供时钟脉冲。内部地址指针自动递增到下
数据的每一个字之后的页面上高地址被写入,这可以持续整个页面
长度为32个字长。在页的端部,该地址指针将被包装到0字
在网页内处理,并且操作可以连续地环绕在32个字的同样
页。新的数据将取代已经存储在存储器中的位置数据。
如果在突发模式中操作,在数据的初始字被移位,附加的数据字可以写入到
通过继续下一顺序的存储单元提供时钟脉冲。内部地址指针
自动递增到下一个更高的地址之后的每个数据字被读出。这可以是
持续了整个阵列以及当最高地址为止( 1FFFh的) ,地址计数器
换到地址0000H 。这允许猝发写周期被无限期地继续下去。再次,新
数据将取代已经存储在存储器中的位置数据。
所有的写操作是通过拉低CS高终止。
字写序
CS
SCK
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
指令
SI
0
0
0
0
0
0
1
0
15
14
16位地址
13
12
...
2
1
0
7
6
DATA IN
5
4
3
2
1
0
SO
高-Z
9
这是一个发展的规范,并随时更改,恕不另行通知。