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N64S0818HDA 参数 Datasheet PDF下载

N64S0818HDA图片预览

型号：	N64S0818HDA
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内容描述：	64Kb的低功耗串行SRAM的8K × 8位组织 [64Kb Low Power Serial SRAMs 8K 】 8 bit Organization]
分类和应用：	静态存储器
文件页数/大小：	15 页 / 201 K
品牌：	AMI [ AMI SEMICONDUCTOR ]

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AMI半导体公司

读操作

N64S0818HDA/N64S0830HDA

超前信息

串行SRAM读取选择通过使CS为低电平。首先， 8位READ指令发送到

该设备后面的16位地址的最高位3是不在乎。 READ指令后

和地址发送，保存在内存地址中的数据被移出SO引脚后

从时钟沿输出有效时间。

如果在页模式下操作，后数据的初始字移出，存储在一个存储器中的数据

在网页上的位置可以通过继续提供时钟脉冲，顺序地读出。内部地址

之后的数据的每个字被读出指针自动递增到下一个更高的地址在页面上

出。这可以持续32个字的长整个页面的长度。在页的端部，所述

地址的指针将被包装到0字地址中的页内，并且该操作可

连续环比32个字相同的页面。

如果在突发模式中操作，在数据的初始字移出，存储在一个存储器中的数据

位置可以按顺序通过继续提供时钟脉冲被读出。内部地址指针是

自动递增到下一个更高的地址之后的每个数据字被读出。这可以是

持续了整个阵列以及当最高地址为止（ 1FFFh的），地址计数器

换到地址0000H 。这允许突发读取周期被无限期地继续下去。

所有的读操作都通过拉CS高终止。

字读序列

CS

SCK

0

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

11

21

22

23

24

25

26

27

28

29

30

31

指令

SI

0

0

0

0

0

0

1

1

15

14

16位地址

13

12

2

1

0

数据输出

SO

高-Z

7

6

5

4

3

2

1

0

7

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