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A61L6316S-12 参数 Datasheet PDF下载

A61L6316S-12图片预览
型号: A61L6316S-12
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内容描述: 64K ×16位高速CMOS SRAM [64K X 16 BIT HIGH SPEED CMOS SRAM]
分类和应用: 存储内存集成电路静态存储器光电二极管
文件页数/大小: 15 页 / 149 K
品牌: AMICC [ AMIC TECHNOLOGY ]
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A61L6316 Series  
AC Test Conditions  
Input Pulse Levels  
0V to 3.0V  
3 ns  
Input Rise And Fall Time  
Input and Output Timing Reference Levels  
Output Load  
1.5 V  
See Figures 1 and 2  
+3.3V  
317  
W
W
I/O  
OUTPUT  
RL=50  
W
ZO=50  
W
5pF*  
351  
VT=1.5V  
* Including scope and jig.  
Figure 1. Output Load  
Figure 2. Output Load for tCLZ, tOLZ,  
tCHZ, tOHZ, tWHZ, and tOW  
Data Retention Characteristics (TA = 0°C to 70°C or -25°C to +85°C)  
Symbol  
Parameter  
Min.  
Max.  
Unit  
Conditions  
³ VCC - 0.2V  
VDR  
VCC for Data Retention  
2
3.6  
V
CE  
VCC = 2.0V  
³ VCC - 0.2V  
VIN ³ VCC - 0.2V or  
VIN £ 0.2V  
CE  
ICCDR  
Data Retention Current  
-
5
mA  
Chip Disable to Data Retention  
Time  
tCDR  
tR  
0
-
-
ns  
See Retention Waveform  
Operation Recovery Time  
TRC*  
ms  
tRC = Read Cycle Time  
(July, 2002, Version 1.1)  
11  
AMIC Technology, Inc.