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A43E16161V-75UF 参数 Datasheet PDF下载

A43E16161V-75UF图片预览
型号: A43E16161V-75UF
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内容描述: 1M ×16位×2组低功耗同步DRAM [1M X 16 Bit X 2 Banks Low Power Synchronous DRAM]
分类和应用: 动态存储器
文件页数/大小: 46 页 / 1315 K
品牌: AMICC [ AMIC TECHNOLOGY ]
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A43E16161  
5. Write Interrupted by Precharge & DQM  
CLK  
Note 2  
Note 1  
CMD  
WR  
D0  
PRE  
D3  
DQM  
DQ  
D1  
D2  
Masked by DQM  
Note : 1. To inhibit invalid write, DQM should be issued.  
2. This precharge command and burst write command should be of the same bank, otherwise it is not precharge  
interrupt but only another bank precharge of dual banks operation.  
6. Precharge  
1) Normal Write (BL=4)  
CLK  
CMD  
DQ  
WR  
D0  
PRE  
D1  
D2  
D3  
t
RDL  
2) Read (BL=4)  
CLK  
CMD  
RD  
PRE  
Q2  
DQ(CL2)  
Q0  
Q1  
Q0  
Q3  
Q2  
DQ(CL3)  
Q1  
Q3  
7. Auto Precharge  
1) Normal Write (BL=4)  
CLK  
CMD  
DQ  
WR  
D0  
D1  
D2  
D3  
Note 1  
Auto Precharge Starts  
2) Read (BL=4)  
CLK  
CMD  
DQ(CL2)  
DQ(CL3)  
RD  
Q0  
Q1  
Q0  
Q2  
Q1  
Q3  
Q2  
Q3  
Note 1  
Auto Precharge Starts  
* Note : 1. The row active command of the precharge bank can be issued after tRP from this point.  
The new read/write command of other active bank can be issued from this point.  
At burst read/write with auto precharge,  
interrupt of the same/another bank is illegal.  
CAS  
PRELIMINARY (August, 2005, Version 0.0)  
17  
AMIC Technology, Corp.  
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