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    N04Q1618C2B 参数 Datasheet PDF下载

    N04Q1618C2B图片预览
    型号： N04Q1618C2B
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 4Mb的超低功耗异步SRAM CMOS瓦特/双Vcc和VCCQ的终极功率降低256K 】 16位POWER SAVER技术 [4Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM w/ Dual Vcc and VccQ for Ultimate Power Reduction 256K】16 bit POWER SAVER TECHNOLOGY]
    分类和应用： 静态存储器
    文件页数/大小： 13 页 / 295 K
    品牌： AMI [ AMI SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号N04Q1618C2B的Datasheet PDF文件第5页浏览型号N04Q1618C2B的Datasheet PDF文件第6页浏览型号N04Q1618C2B的Datasheet PDF文件第7页浏览型号N04Q1618C2B的Datasheet PDF文件第8页浏览型号N04Q1618C2B的Datasheet PDF文件第10页浏览型号N04Q1618C2B的Datasheet PDF文件第11页浏览型号N04Q1618C2B的Datasheet PDF文件第12页浏览型号N04Q1618C2B的Datasheet PDF文件第13页  
    N04Q1618C2B
    AMI Semiconductor, Inc.
    Timing Waveform of Page Mode Read Cycle (WE
    =
    V
    IH
    )
    t
    RC
    Page Address
    t
    AA
    Word Address
    t
    HZ
    CE1
    t
    CO
    CE2
    t
    OHZ
    t
    AAP
    Advance Information
    t
    OE
    OE
    t
    OLZ
    LB, UB
    t
    BLZ
    High-Z
    t
    BE
    t
    BHZ
    Data Out
    Stock No. 23451-D 11/06
    The specification is ADVANCE INFORMATION and subject to change without notice.
    9

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