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表3中。
描述
制造商ID ： AMD
设备ID ： AM29F040B
扇区保护
验证
AM29F040B自选代码（高压法）
A15–A10
X
X
X
A9
V
ID
V
ID
V
ID
A8–A7
X
X
X
A6
V
IL
V
IL
V
IL
A5–A2
X
X
X
A1
V
IL
V
IL
V
IH
A0
V
IL
V
IH
V
IL
识别码上
DQ7-DQ0
01h
A4h
01H （受保护）
00H （无保护）
A18–A16
X
X
扇形
地址
扇区保护/ unprotection的
硬件扇区保护功能禁用这两个
程序在任何扇区擦除操作。该
硬件部门解除保护功能重新启用这两个
编程和擦除操作在以前亲
tected部门。
部门保护/解除保护必须落实
使用编程设备。该程序重新
描述查询一个高电压（V
ID
）上的地址引脚A9和
控制引脚。在一个设置在该方法的细节
补充，出版号为19957.联系的
AMD的代表，以获取相应的副本
文档。
该设备出厂时所有部门保护。
AMD提供的编程和维护的选项
装运设备之前，部门在其工厂
通过AMD的ExpressFlash ™服务。请联系
AMD公司代表了解详情。
它能够确定一个扇区是否已被保护
或未受保护的。请参阅“自选模式”的详细信息。
编程，否则可能由spuri-引起
在V OU的系统级信号
CC
电和
省电转变，或者从系统的噪声。
低V
CC
写禁止
当V
CC
小于V
LKO
，该设备不AC-
概念的任何写周期。这期间， V保护数据
CC
上电和断电。命令寄存器和
所有的内部编程/擦除电路都被禁止，而
设备重置。随后的写操作被忽略，直到V
CC
大于V
LKO
。该系统必须提供
正确的信号给控制引脚，以防止无意中
tional写道：当V
CC
大于V
LKO
.
写脉冲“毛刺”保护
小于5纳秒（典型值）上的OE ＃ ， CE＃或噪声脉冲
WE＃不启动写周期。
逻辑INHIBIT
写周期是由持有OE ＃任何一个抑制=
V
IL
，CE ＃ = V
IH
或WE ＃ = V
IH
。要启动一个写周期，
CE＃和WE＃必须是逻辑零而OE＃是一个
逻辑之一。
上电时禁止写入
如果WE＃ = CE ＃ = V
IL
和OE ＃ = V
IH
上电时，该
设备不接受的上升沿命令
的WE＃ 。内部状态机自动为
重置为读出在上电时阵列的数据。
硬件数据保护
解锁周期的命令序列要求
进行编程或擦除提供数据保护
防止意外的写入（参见命令Defi-
nitions表）。此外，下面的硬件数据
保护措施防止意外删除或亲
命令德网络nitions
写具体地址和数据命令或SE-
quences到命令寄存器启动装置OP-
操作。该命令定义表定义
有效的寄存器命令序列。写作
不正确
地址和数据值
或者将它们写在
im-
正确的顺序
设备重置读书阵列
数据。
所有地址锁存WE＃的下降沿或
CE＃ ，以较迟者为准发生。所有的数据被锁存
WE＃或CE ＃的上升沿，发生者为准
第一。请参考相应的时序图
“AC特性”一节。
读阵列数据
该装置会自动设置为读取阵列数据
之后器件上电。没有命令要求
检索数据。该器件还准备读阵列
完成嵌入式程序或EM-后的数据
层状擦除算法。
之后，该设备接受一个擦除挂起命令，
该设备进入擦除挂起模式。该系
TEM可以读取使用读时序标准阵列数据
英格斯，但如果它在读取范围内使用擦除地址
悬浮部门，设备输出状态数据。
在完成编程操作，在擦除之后
暂停模式中，系统可以再次读取阵列
8
Am29F040B
AMD [ ADVANCED MICRO DEVICES ]
